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  • RE: OPA549: 输入端没有输入信号，输出端输出信号

    已解决
    频率响应曲线看起来与预期不同。R=2Ω似乎有效地衰减了所有频率。 很遗憾听到我的模拟与你的真实世界板测试不匹配。有时，宏模型与硅的行为略有不同，或者板寄生元件会导致差异。 解决这个问题的最佳方法是手动评估缓冲电路的理想RC值。 我们这里有一个很好的文档，描述了这个过程： Calculate RC Snubber.pdf 实际上，我们正试图测量当我们有意在电路中添加电容时，我们看到的频移有多大。 我们确实需要添加足够的电容来有效地移动频率，以测量变化。 或者，您可以使用不同的电容器来代替我推荐的100uF…

  • RE: DRV8873-Q1: 50KHZ带载发烫

    您好， 请参阅datasheet中的以下部分。 计算开关损耗时发热，是预期行为。 8.2.1.2 Drive Current and Power Dissipation To reduce switching losses, slew rate can be adjusted with SPI register. Faster slew rate results in lower switching losses.（为了减少开关损耗，可以使用 SPI 寄存器调节压摆率。 更快的压摆率可降低开关损耗…

  • RE: 选型：支持100%占空比的最高电压为24V的8A降压方案

    您好， LM5176，LM5177等都可以实现您的需求。 下面是完整的一套方案，请参考： WBDesign149.pdf
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  • RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…

  • TDA4AL-Q1: How to setup TDA4AL to support a/b rootfs ?

    TI 认为已经解决
    Part Number: TDA4AL-Q1 Hi TI, How to setup TDA4AL to support a/b rootfs ? like.. partition: mmcblk0p1 rootfs_a mmcblk0p2 rootfs_b When slot =_a , load rootfs_a to booting When slot =_b , load rootfs_b to booting If TDA4AL can support a/b rootfs, we can do…
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  • [参考译文] UCC25800-Q1：UCC25800-Q1 开关损耗

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC25800-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1526174/ucc25800-q1-ucc25800-q1-switching-losses 器件型号： UCC25800…

  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…
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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

  • RE: [参考译文] AM625：从 eMMC 4GB 引导分区进行 SBL Linux 引导

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢 Prashant、 我根据您的建议修改了布局、并尝试从 eMMC 引导。 内核可以启动但在途中停止。 SYSFW Firmware Version 11.0.7--v11.00.07 (Fancy Rat) SYSFW Firmware revision 0xb SYSFW ABI revision 4.0 [BOOTLOADER_PROFILE] Boot Media…

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