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  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1：LM5137F-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees： 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)？ 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] AM62L：通过.wic 文件显示 eMMC 引导问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 这是大小 400mb 的微小图像,在这也是我们面临同样的问题后 uboot 它将要 grub switch to partitions #0, OK mmc0(part 0) is current device Can't set block device ## Info: input data size = 2 = 0x2 Loaded env from uEnv…
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  • [参考译文] TPS1685：负载电容过大问题

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS1685 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1589156/tps1685-the-excessive-load-capacitance-issue 器件型号： …

  • RE: RE: LM73100EVM: 芯片的GND可以接入负压，从而改变输入电压的范围吗？

    目前TI没有完全符合您这个需求的芯片，如果对TI的相关负载开关芯片感兴趣，可以参考下面的链接 https://www.ti.com/power-management/power-switches/load-switches/products.html#sort=238max;asc&
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  • [参考译文] LMG3410R070：查询针对高速开关的 FET 建议

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1585018/lmg3410r070-inquiries-about-fet-recommendations…

  • RE: TPS65987D: tps65987 软起动时间可编程问题。

    您好， 确认了一下，图示中的软起动时间参数就是sink模式下的。 外接器件可考虑 Load switches product selection | TI.com ，这类器件带” Adjustable Rise Time“。

  • RE: LM2596S-ADJEVM: LM25963 ZETA变换没输出

    请参考下面的文档 slyt372.pdf TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian Chinese Simplified Hungarian Russian Chinese Traditional Indonesian Slovak Czech Italian Slovenian Danish J…
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  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…
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  • RE: [参考译文] TPS22975：短路情况下 TPS22975 Vout

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ TPS22975具备热关断功能、因此、FET 上的高功率耗散会导致器件发热、并最终在关断水平(数据表中的 TSD 典型值= 160C)关断以保护自身。 当器件冷却超过迟滞(数据表中为20C)后、器件将开启并自动重试。 TPS22950等器件具有明确的短路保护、其中故障也可以报告到数据表。 我们有多个带显式短路保护的过载开关、您可以在下面找到(我为您做了筛选)： https…

  • RE: [参考译文] BQ25756：BQ25756不充电、不进行开关问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tenzing、 感谢您对栅极驱动电压的澄清。 Unknown 说： 这是我的初始测试中 MOSFET 损坏的原因吗？ [/报价] 我还不确定。 我以前从未使用过反向放电时间如此长的 FET。 我为 BQ25756所用的大多数 FET 的反向恢复时间都小于50ns。 Unknown 说： 对于 FET 的反向恢复时间、您可以告诉我反向恢复时间的范围或最小/最大时间。 此外…

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