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找到 6,789 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: [参考译文] SK-AM62P-LP：与 Android Automotive 一起实现基于 R5F 的指示灯显示器（支持双显示）

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Divyansh Mittal ： 已尝试此项并能够在 MCU R5 中添加显示应用。 并使用 android.bp 文件刷写了图像、然后能够在 LVDS 显示屏中启动显示应用程序。 但在这种情况下、Android 无法引导（注意：我尚未启用 k3-am62p5-sk-dss-shared-mode.dtso） 。 日志： Verify GPT: success! Loading…
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  • RE: [参考译文] LM74912-Q1：DGATE 引脚和 HGATE 引脚之间的开关速度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shunshuke： 理想二极管可通过控制输出电压压摆率来抑制浪涌电流。 在发生这种情况时、FET 会承受应力、必须相应地进行缩放。 此应力因系统而异。 我们提供了一个浪涌 SOA 计算器、可以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 我们在数据表中还提供了 FET 选择指南。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：功率限制查询

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请在启动期间使用该工具验证 SOA https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：设计高侧开关、FET SOA 时的指导

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Issac： 您能否解释一下您在这里的意思： [引用 userid=“689534" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1627762/tps1211-q1-guidance-when-designing-high-side…

  • RE: BQ27Z855: BQ27Z855

    您好 BING CAI 说： Question 1: When the chip is in Supplement Mode and PACK‑BAT > VTH_OFF(‑5 mV) is detected with the CHGFET off, does this dedicated voltage comparator (DCOMP) have a detection delay and wh 根据datasheet说明没有相关准确测试值，但是因为它对于采样电阻有要求，您可以以这个延迟做参考…
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…

  • RE: UCC21520: UCC21520参考数据手册Layout但出现严重振铃现象解决方案

    I would recommend minimizing the gate drive loop as much as possible to limit ringing from inductance. I can't tell how long the gate drive paths are, but I would analyze if these can be shortened in the next layout revision. I also wonder if there…
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  • [参考译文] CSD17313Q2：请查询有关支持高速开关的 FET 产品的建议

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17313Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548235/csd17313q2-inquiry-for-recommendation-of-fet-products…
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  • [参考译文] CSD17313Q2：请查询有关支持高速开关的 FET 产品的建议

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17313Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548234/csd17313q2-inquiry-for-recommendation-of-fet-products…

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