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找到 6,791 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1:LM5137F-Q1

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees: 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)? 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计: https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM51772:LM51772 高功率应用验证

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mohammad: 您可以将 GaN FET 直接连接到 LM51772 — 就像此处 EPC9178_QSG.pdf 一样 。 (这是使用 LM5177 (0) 实现的、但此器件与 LM51772 具有相同的功率级架构和栅极驱动电压电平) 因此、使用 LM51772 时不需要额外的半桥驱动器。 我仍然很难完全了解所需的应用程序设置: 输入电压 24V 或 48V …
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • TMS320F280049C: TIDA00961问题咨询

     Alps_analog
    Alps_analog
    TI 认为已经解决
    Part Number: TMS320F280049C // Control Code inline void pfcControlCode(void) { int k=0; // 4x over-sampled current ac_cur_sensed = (float32_t)((AC_CUR_SENSE_FB+AC_CUR_SENSE_2_FB+AC_CUR_SENSE_3_FB +AC_CUR_SENSE_4_FB…
    • 11 个月前
    • C2000 微控制器
    • C2000™︎ 微控制器论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] AM62L:通过.wic 文件显示 eMMC 引导问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 这是大小 400mb 的微小图像,在这也是我们面临同样的问题后 uboot 它将要 grub switch to partitions #0, OK mmc0(part 0) is current device Can't set block device ## Info: input data size = 2 = 0x2 Loaded env from uEnv…
    • 9 个月前
    • 接口(参考译文帖)
    • 接口(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A:CSD18514Q5A

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • N+N > 2N? The Superposition Buff of MOS Transistors

    vbsemi
    vbsemi
    TI 认为已经解决
    Dual-N+N means that a semiconductor device or circuit contains two N-type semiconductor-related circuit structures. For example, a dual N-type transistor combination circuit, also known as a dual N+N channel MOSFET. So, why connect two NMOS transistors…
    • 1 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: [参考译文] AM64X-AM64X:MCU-PLUS-SDK:SBL 无法加载应用映像

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dominic: 我使用 ipc_rpmsg_echo 作为“app",“,我、我将在这里分享相同内容: e2e.ti.com/.../1385.app.zip [引述 userid=“387520" url="“ url="~“~/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1615021/mcu…
    • 7 个月前
    • 处理器(参考译文帖)
    • 处理器(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: [参考译文] BQ25756:BQ25756不充电、不进行开关问题

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tenzing、 感谢您对栅极驱动电压的澄清。 Unknown 说: 这是我的初始测试中 MOSFET 损坏的原因吗? [/报价] 我还不确定。 我以前从未使用过反向放电时间如此长的 FET。 我为 BQ25756所用的大多数 FET 的反向恢复时间都小于50ns。 Unknown 说: 对于 FET 的反向恢复时间、您可以告诉我反向恢复时间的范围或最小/最大时间。 此外…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5022:计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器: www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] TPS22916:器件推荐

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我希望这对您有所帮助。 https://www.ti.com/power-management/power-switches/load-switches/products.html#480=1%3B1&1685=1.5%3B15&2192=Reverse%20current%20protection&2955=6%3B8%3B10%3B14&…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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