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  • PMOS load switch 瞬态电流问题

    Hi 最近仿真了一个用PMOS作的负载开关电路，发现当G和S之间的缓启电容容值小的时候(C1=1nF，Id电流会很大 达到6.42A max. 当C1调到1uF的时候, Id最大峰值只有几百mA。 不知道是什么原因导致的，觉得有点不合理。希望有专家帮忙解答一下 下面是仿真电路和结果图 上面这个是C1=1nF 仿真结果 上面这个是C1=1uF 仿真结果
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  • [参考译文] LM25069QUICK-CALC：最大 FET 功率限制

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17553Q5A , TPS25982 , LM25069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/930805/lm25069quick-calc-maximum-fet…

  • TPS22960这款Load Switch是否适合USB使用？

    Other Parts Discussed in Thread: TPS22960 , TPS2046B TPS22960 这款Load Switch是否适合USB2.0 500mA限流?

  • UCC28056 Design Calculator计算得到的损耗（FET LOSS）过高

    Other Parts Discussed in Thread: UCC28019A , UCC28056 如图，根据TK20A60U的参数填入后，发现第139行Psw数值有30多W，但实测远没有这么多。 手动把Coss的数值改小后，Psw也明显降低，请问能否帮忙解答，为什么Coss过高时会算出这么大的损耗？（而实际测得的损耗并没有这么大。）
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  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。 该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。 附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。 我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…

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