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  • RE: [参考译文] TPS22811：简单的负载开关

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Aria： [quote userid="634319" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487902/tps22811-simple-load-switch 能否将 DVDT/ PG 引脚悬空？ 您可以保持 PG…
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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…
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  • [参考译文] LM5143：如何提高轻载效率。

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5143 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371712/lm5143-how-to-improve-the-efficiency-in-light-load 器件型号…
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  • RE: [参考译文] BQ2980：针对单节锂电池和电池充电器/PMIC 之间双向负载开关的建议器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： [引述 userid="322246" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1500657/bq2980-part-recommendation-for-bidirectional-load-switch-between-single…

  • RE: [参考译文] TIDA-01606：寻求有关器件更改的建议

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 可能...UCC21710具有 DESAT OCP 功能。 如果您要增大漏极电流、则必须 为新设计确定相应的 DESAT 阈值。 查看此栅极驱动器 calc 工具、它可以帮助您进行 DESAT 设计： https://www.ti.com/tool/download/SLUC695 您需要将 VOCDET (来自电子表格工具)与 SiC FET 的 IV 曲线对齐。 如果您将电压设置得过低…
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  • RE: [参考译文] TPS22960：替换

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fahad： 感谢此更新、TI 没有任何支持此电流电平的低侧开关。 有关其他解决方案、请参阅： 1. https://www.ti.com/product/DRV7167 2.用于驱动外部 FET 的高侧开关控制器： https://www.ti.com/product-category/power-management/high-side-switches-controllers…

  • LM5069: LM5069设计审查

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM5069 Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT Hi Ti engineer， 请帮忙检查一下LM5069电路这样设计是否合理，输入和输出用的二极管型号是B370-B3100，厂家为DIODES。MOS管型号是IRF540NSPBF，厂家为International Rectifier。附件放了电路设计的PDF文档和设计参数表格，谢谢！ lm5069.pdf , LM5069_Design_Calculator_REV_C…
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  • RE: [参考译文] LM5117：无输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 这些 FET 是具有极高栅极电荷和电容的旧技术器件。 当 Vgs = 7.5V 时、Qg 为200nC、因此开关速度非常慢。 此外、当 VOUT 不会过驱 VCC 时、启动期间将超过 VCC 稳压器的电流限制(最小30mA、典型值42mA)。 每个 FET 的 IVCC = Qg*Fsw = 200nC*220kHz = 44mA。 请选择较低的栅极电荷…
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  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：设计审查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shrey： 在共享的原理图中、我看到您有两个软启动电路、您使用的是哪一个？ 您还能填写此 Excel 并与我分享吗？ FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 此致、 S·迪尔
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  • RE: [参考译文] AM625：AM625 签名的 Kernal 和 DTB 身份验证

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好 Hong 那么我们是否无需 再考虑 SDK 9 中的 TI_SECURE_DEV_PKG (core-secdev-k3)？ 我是否认为所有安全功能都能使用默认密钥正常工作？ 仅供参考、我还在内核验证之前添加了引导日志 U-Boot SPL 2023.04-ti-gf9b966c67473 (Mar 19 2024 - 20:31:40 +0000) SYSFW ABI…

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