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  • [参考译文] TPS6593-Q1：功率耗散计算值

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS6593-Q1 , TPS6594-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407868/tps6593-q1-power-dissipation-calc 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LM25141-Q1：最大输出电流

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kiran： 由于 IC 是同步控制器、因此可实现的 I_OUT 取决于外部器件(如 FET、电感器、电容器等)的载流能力 请查看"8.2.2.5.2 MOSFET 选择"。 请分享 Vin、Vout、Fsw、Iout 或填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM25141DESIGN-CALC 、以便我们能够计算您运行条件下的效率…
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  • [参考译文] LM5066I：是否可以将外部 FET 更改为 MOSFET 双向开关？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505371/lm5066i-is-it-possible-to-change-the-external-fet-to…

  • DAC7612: How to distinguish DAC7612U from DAC7612UB during application？

    TI 认为已经解决
    Part Number: DAC7612 We are facing an issue: how to quickly tell whether DAC7612U or DAC7612UB is mounted on our products. Our end customers have questioned how we can confirm that DAC7612UB, rather than DAC7612U, is used on the units. According to the…

  • DAC7612: How to distinguish DAC7612U from DAC7612UB during application？

    Part Number: DAC7612 We are facing an issue: how to quickly tell whether DAC7612U or DAC7612UB is mounted on our products. Our end customers have questioned how we can confirm that DAC7612UB, rather than DAC7612U, is used on the units. According to the…
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  • [参考译文] BQ76200：BQ76200 高侧 MOSFET 驱动问题 — CHG/DSG 不会在多个 FET 时导通

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ76200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1589980/bq76200-bq76200-high-side-mosfet-drive-issue-chg-dsg…
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：具有背对背或理想二极管的反向电流保护？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 标记、 感谢您发送编修。 对于#1 -在这种情况下、我们给出的最佳建议是在开关的输出端放置一个 TVS 二极管、以钳制由于电感关断而产生的负电压(不管怎样、如果存在此类热插拔事件、这可能是一个好主意。 并联 FET 时、导通时间将会增加、因为您还需要增大电荷泵电容。 由于电荷泵电容更大、因此需要一定的时间才能达到特定的阈值(8.6V)。 此外、您还可以在每个 FET…

  • [参考译文] BQ76942：在无主机处理器的情况下在低侧 FET 开关中使用 AFE 预充电驱动器

    Other Parts Discussed in Thread: BQ76942 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1518175/bq76942-using-afe-precharge-driver-in-low-side-fet…

  • RE: BQ25756: BQ25756 负载响应

    您好，1，2是用评估板测试出现的问题吗？建议您用评估板做一下测试。 3，可以接GND，电路请参考BQ25756 Schematic Checklist BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf

  • [参考译文] BQ76942：在低侧 FET 开关和 OTP 编程中使用预充电驱动器

    Other Parts Discussed in Thread: BQ76942 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1517240/bq76942-using-precharge-driver-in-low-side-fet-switching…

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