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找到 6,417 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas: 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:针对高电流的 MOSFET 选择

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv: 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少? 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求? TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET? 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD19533Q5A:关于在高电流下并联使用 MOS 管

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、盛阳: 感谢您关注 TI FET。 TI 有一个负载开关 FET 选择工具(下面的链接)、可用于确定需要多少个并联 FET 来承载200A 连续电流。 此时、该工具无法并联 FET、但您可以将电流除以 FET 数量、以估算每个 FET 的功率损耗。 对于此应用、除非瞬态电压超过40V、否则您将至少需要一个40V FET。 通常、对于相同的芯片尺寸/封装尺寸、电压较低的 FET…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD16301Q2:CSD16301Q2能否支持此激光器,其工作电压仅为1.2V?

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好,Wu Shi, 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用,但根据激光二极管的规格,它可能会因电流而过载,最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关,且电源接地? 或者,它是一个高侧负载开关,源是浮动的? 低侧开关更易于驱动,因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧,必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD19536KTT:Tida 010030

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rajib, 感谢您对 TI FET 的关注。 数据表中公布的最大连续电流是一个计算量,假设 Tcase = 25°C,Tj = Tjmax = 175°C 有关详细信息,请参阅下面的博客链接,该博客解释了 TI 数据表中的最大持续电流规格。 保持 Tcase = 25°C 需要一个“无限”散热器来散热热量。 在实际应用中,通过 FET 的电流受最大功耗的限制,最大功耗保持…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD17312Q5:MOSFET 和热管理

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jonathan、 感谢您向客户推广 TI FET。 在下面、您可以找到一些有用的链接、这些链接指向 MOSFET 支持与培训页面上提供的有关各种 TI FET 封装的热阻抗和功率耗散能力的技术信息。 还有一个负载开关 FET 选择工具、可计算 FET 中的功率耗散、从而允许客户针对其应用比较多达3个不同的器件。 1 inch²、2盎司 铜焊盘是 TI 和许多其他 FET…
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] MCT8329A:MOSFET 与 MCT8329A 发生损耗

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: MCT8329A , MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1506389/mct8329a-mosfet-losses-with-mct…
    • 5 个月前
    • 电机驱动器(参考译文帖)
    • 电机驱动器(参考译文帖)(Read Only)
  • Struggling With EMI and Overheating in Push-Pull Power Supplies? Let’s Share What Actually Works

    vbsemi
    vbsemi
    While debugging a mid-power push-pull isolated supply (~100W range), I’ve once again hit the classic wall: Runs fine under light load MOSFET temps shoot up under full load EMI spikes appear around 180-250MHz during pre-compliance checks The frustrating…
    • 3 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • [参考译文] LM5143DESIGN-CALC:低侧 MOSFET 开关损耗

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1437222/lm5143design-calc-low-side-mosfet-switching-loss 器件型号: LM5143DESIGN-CALC 工具与软件: 您好、团队: 数据表中提到低侧…
    • 已回答
    • 10 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: TIDA-01606: Loss Estimations

    Lydia
    Lydia
    Stephen , There is a good reference for loss comparison between inverter mode and pfc mode for a 25kW t type here . this manual doesn't show the equations. The general switching and conduction losses equations for pfc and inverter are similar as shown in…
    • 3 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
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