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  • [参考译文] TPS2492：快速导通 FET 以减少开关损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2492 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1447171/tps2492-turn-on-fet-quicky-for-reduction-switching…
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  • [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18531Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284781/lm25145-lm25145---mosfet-power-loss-calculation…
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  • [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18531Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284781/lm25145-lm25145---mosfet-power-loss-calculation…
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  • [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18531Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284781/lm25145-lm25145---mosfet-power-loss-calculation…

  • RE: LM3409-Q1: 以TI的公板为基础修改LM3409-Q1的驱动参数

    I don't know what you mean by the DLP5531-Q1 public drive circuit? Is this an EVM, app note, or reference design? I need to know the original design before I can recommend how to change it. Can you verify this is the schematic you are referencing…

  • RE: TIDM-02013: Issues of Relay Closing and Overcurrent Protection Triggering on the Circuit Board Caused by Driver Loss in the PFC Stage

    Thanks for providing the schematics! This clarifies a lot. I've been reviewing them, and I have some additional thoughts and questions. 1. vBus Voltage Instability & Dropping Voltage: Looking at the schematic, the output capacitor (C188, 10uF…
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  • [参考译文] DRV8462：是否有开关损耗与 I2R 损耗的估算值？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8462 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1580221/drv8462-is-there-an-estimate-of-switching-losses-versus-i2r…

  • LM5155-Q1: 加快MOS开启速度

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM5155-Q1 In SEPIC design, the MOS has too much heat problems, mainly due to switching losses. Is there any way to accelerate the MOS turn on speed to reduce switching loss
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  • RE: [参考译文] DRV8353：DRV8353

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Najma、 TI 的 MOSFET 团队拥有一种 Excel 计算器工具、您可能会认为该工具有利于进行评估。 请在下方查看： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 此致！ 阿克沙伊
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  • RE: [参考译文] CSD87352Q5D：降压转换器死区时间和击穿相关的波形问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fusheng： 感谢您的更新。 从原理图中可以看出、有两个并联的电源块、即 PQ17和 PQ18、这应该没问题、但我会推荐以下链接中的应用手册、以了解有关并联 FET 的指南。 每个 FET 应具有自己的栅极电阻器、用于电流共享并防止两个并联 FET 之间出现栅极振荡。 该设计采用单个高侧和单个低侧栅极电阻器。 最好为每个 FET 将它们分别拆分为单独的电阻器。 开关节点波形上存在电压尖峰…

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