Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1244952/lm5145design-calc-mosfet-loss-estimation 器件型号： LM5145DESIGN…
您好
这个图是内部function，是官方为了方便您理解做的逻辑图。
The following operating description of the LMR16030 will refer to the Functional Block Diagram and to the waveforms in Figure 7-1. The LMR16030 output voltage is regulated by turning on the high-side N-MOSFET with controlled…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh：
请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
So, if I design a load of 12V/210A (2.5kW), I can switch from DCM to CCM at a 5%-10% current (10.5A-21A). Is this correct? Will DCM efficiency still be good at 5%-10%?
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit，
感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为：
ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…
Hello Lydia
Thank you for your reply. Through your response, I have solved the aforementioned problem.
When I used the FET_CONTROL() command before, I set the transmission data based on the 0X7F FET Status(), which is different from the FET Control Register…
