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  • [参考译文] LMG1025-Q1：2–3 个 IC 并联工作、以驱动单个 GaN FET

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG1025-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1534271/lmg1025-q1-operating-2-3-ics-in-parallel-to-drive…

  • [参考译文] DRV8323：驱动 MOS 烧毁

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1389172/drv8323-drive-mos-burnt-out 器件型号： DRV8323 工具与软件： 在该电路调试过程中、如果运行一段时间、则可能会出现 MOS 烧毁。 即使替换不同品牌的 MOS 或者使用电阻更高的…
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  • [参考译文] DRV8243-Q1：低侧 FET 上的电流检测

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV8243-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1333646/drv8243-q1-current-sense-on-low-side-fet 器件型号： DRV8243-Q1 …

  • RE: DRV10983: 驱动电压不足

    您好， 我们注意到您已经在英文论坛跟进该问题，那么我们会先关闭该贴，如需帮助您可以随时reopen这个帖子。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1257707/drv10983-insufficient-drive-voltage

  • [参考译文] DRV8316C：如果施加负电流、ASR 和 AAR 使能将不会导致 LS FET 上出现0V 压降

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1349582/drv8316c-asr-and-aar-enable-will-not-lead-to-0v-drop-on-ls-fet-if-negative-current-is-applied 器件型号： D…

  • RE: DRV8873-Q1: 50KHZ带载发烫

    您好， 请参阅datasheet中的以下部分。 计算开关损耗时发热，是预期行为。 8.2.1.2 Drive Current and Power Dissipation To reduce switching losses, slew rate can be adjusted with SPI register. Faster slew rate results in lower switching losses.（为了减少开关损耗，可以使用 SPI 寄存器调节压摆率。 更快的压摆率可降低开关损耗…

  • RE: [参考译文] DRV8770：DRV8770

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ [报价 userid="616877" URL"~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1393400/drv8770-drv8770我正在使用 DRV8770驱动继电器。 我们是否需要从外部为自举电容器充电。 如果没有、那么应如何配置 IC、以便为自举电容器充电、从而运行高侧…
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  • RE: [参考译文] DRV8836：AOUT/BOUT 处的反电动势

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hi Hiroshi-San、 感谢您的提问。 此器件的绝对最大值为7V。一般来说、VM / VCC 不得超过7V、以确保器件在其使用寿命内保持完整性。 应用程序的操作 VCC 是什么？ [引述 userid="336910" url="~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1518670…
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  • RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、David、请发送原理图和带有 FET 器件型号的完整快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] TPS43061：推荐使用的 FET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好：大桥三、 谢谢咨询。 对于24V 输出、我强烈建议使用30V 电源块器件、而不是25V 器件。 我们有许多采用3.3x3.3mm SON 封装的产品。 CSD87334Q3D 应具有最低的功率损耗、因为 FET 对称(芯片尺寸和导通电阻相同)、并针对升压转换器等更高占空比运行进行了优化。 CSD87333Q3D 的成本最低、但功率损耗会更高。 它还具有对称的 FET、但导通电阻更高…

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