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  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • RE: [参考译文] 建议用于 AON6276(Alpha & Omega Semiconductor Ltd)的 TI 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 维克托您好， 我想让您了解我们的 BLDC FET 选择工具(链接如下)，该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1ku 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何疑问，请通过 TI.com 电子邮件与我联系。 此致， 约翰·华莱士 TI…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
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  • [参考译文] CSD88599Q5DC：电机驱动 FET 损耗计算器电子表格不包含电源块部件

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC , CSD88584Q5DC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000125/csd88599q5dc-motor-drive-fet-loss…
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  • RE: [参考译文] TMS320F28379D LaunchPad 栅极驱动器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Semanur、您好！ 谢谢咨询。 是 TI 功率 MOSFET 的应用工程师。 我可以帮助您为应用选择 FET。 但是、栅极驱动器由 TI 内部的不同应用团队处理。 首先、我们为 BLDC 电机驱动开发了一款基于 Excel 的 FET 选择工具、您可以访问下面的链接找到该工具。 这允许用户输入其要求、并根据功率损耗、封装和成本比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 …
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
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  • RE: [参考译文] 电机驱动器 TI 建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 感谢您的查询。 FET 是否需要通过汽车认证？ 如果是、则 TI 没有任何通过自动认证的 FET、并且我们不打算将任何器件认证为汽车标准。 我将在下面添加一个用于 BLDC 应用的 TI FET 选择工具链接。 它允许用户根据功率损耗比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 对于单通道40V FET、采用5x6mm SON 封装的 CSD18514Q5A…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：将 FDMC8010DC 替换为 CSD88599Q5DC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mladen、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD88599Q5DC 电源块是电机驱动应用的理想选择。 它已针对此应用进行了优化、包括顶部冷却、并在单个器件的空间中集成了两个 FET。 在电机驱动中、选择 MOSFET 的一个关键因素是导通电阻、因为导通损耗可能是主要的功率损耗。 考虑到这一点、TI 已将极低的导通电阻 FET 集成到这种5x6mm 的 Dual-Cool…

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