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• [参考译文] MSPM0G1107：使用 EEPROM 仿真类型 B、如果器件在闪存写入期间欠压、我们会丢失几个数据项。

  

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  • 8 个月前
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• [参考译文] MSPM0G1107：BCRCONFIGID 用户可更改？

  

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  • 1 年多前
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• [参考译文] MSPM0G1107：CPU_ERR_01中描述的缓存损坏问题是否包括切换到执行 RAM 中的代码时？

  

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  • 7 个月前
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• [参考译文] MSPM0G1107：两个应用程序固件刷写问题

  

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• [参考译文] MSPM0G1107：如何在使用 syscfg 的工程中修改(.cmd)文件

  

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• [参考译文] MSPM0G1107：IBIS 模型请求

  

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• [参考译文] MSPM0G1107：使用快速唤醒时的时序差异/折衷

  

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• MSPM0G1107: GAMP增益电阻、精度、温漂

  

  Andrew Su

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  Part Number: MSPM0G1107 dears, 我有客户希望能采用G1107内置的GAMP代替外置电流检测电路实现较高精度的电流检测，想了解一下G1107内置通用运放的内部增益电阻值、能达到的精度水品以及温漂对精度的影响。我们有相关数据吗？ 谢谢！

  • 1 年多前
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• [参考译文] MSPM0G1107：将仿真 EEPROM 段放置在闪存基地址时是否需要引导加载程序桩？

  

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• [参考译文] MSPM0G1107：使用相应的输出端口测试 ADC 输入电路

  

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