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  • [参考译文] MSPM0L1227：如何通过应用程序擦除/写入闪存

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  • [参考译文] MSPM0L1227：散热焊盘和建议的电容器值

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  • [参考译文] MSPM0L1227：一些有关闪存写入/擦除的问题

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  • [参考译文] MSPM0L1227：UART、I2C 和计时器的每个模块的电流消耗是多少？

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  • [参考译文] MSPM0L1227：在生产线中使用唯一的密码锁定 SWD - API 编程访问

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  • [参考译文] MSPM0L1227-Q1：开发 TI 微控制器通用编程器：所需的关键信息和指导

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  • [参考译文] MSPM0L1228：闪存组交换功能需要 CSC？

    Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L2227 , MSPM0L2228 , MSPM0L1227 , MSPM0L1228 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based…
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  • [参考译文] MSPM0L1105：访问闪存组的最后8个字节

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    Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G3505 , MSPM0L1228 , MSPM0L2227 , MSPM0L1105 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1227 , MSPM0L2228 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误…

  • RE: [参考译文] ***

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Unknown 说： 数据表指出、POCI (MOSI)在空闲时被强制为低电平。 另外、在您的图片中、信号也会变为高电平。 数据表是否错误？ [/报价] 测试结果似乎正确。 TRM 和测试结果之间存在一些差距、需要在内部确认。 和上拉电阻会影响 POCI 空闲状态。

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