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找到 1,119 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] CSD18511KCS:针对高电流的 MOSFET 选择

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv: 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少? 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求? TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET? 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    Cherry Zhou
    Cherry Zhou
    您好, TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V,并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本,60V 电源块…
    • 3 年多前
    • 电机驱动器
    • 电机驱动器论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas: 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: TMUXHS221: TMUXHS221

    Amy Luo
    Amy Luo
    这个问题似乎与Mux的 回波损耗 有关,不幸的是这是不能真正改变的。 看眼图我的最佳建议是加入TUSB21X redriver (如TUSB211A),并将其设置为最低的 boost 设置,或查看信号的迹线看哪里可以缩短以减少迹线中的损失量。 The current issue seems to be related to the return loss of the mux, which is something that cannot really be changed unfortunately. Looking…
    • 2 年多前
    • 接口
    • 接口论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5122:LM5122

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Muhammad、 感谢您使用 e2e 论坛。 是的、LM5122应该是非常适合此应用的器件。 对于250W 应用、我建议使用多相设计。 类似应用有多种参考设计。 请随时浏览我们的参考库以了解此内容: https://www.ti.com/reference-designs/index.html#search?keyword=lm5122 我还建议使用我们的快速入门计算工具来计算外部元件值…
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5069:电源保护

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil: 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5122EVM-2PH:针对更高功率的 EVM 修改

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Abdul: 感谢您的反馈。 可以增加500kHz 的开关频率。 若要查看对电流纹波和效率的影响、您可以再次使用我在前一条消息中引用的功率级设计器工具。 另一个有用的资源是我们的快速入门计算器工具: https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC MOSFET 应适用于250kHz 和500kHz 开关频率。 限制因素仍是…
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5148-Q1:PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗? 当您处于 FPWM 模式时…
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM25184-Q1:器件可处理的最大负载电流

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas: 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: [参考译文] LM3488:LM3488的设计问题

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zhang: 感谢您使用 e2e 论坛。 您能否提供 电感器数据表? 您能否为该 LM3488设计填写我们的快速入门计算器工具? https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 根据这些信息、我们可以探究温度大幅升高的可能根本原因。 谢谢、此致、 Niklas
    • 1 年多前
    • 接口(参考译文帖)
    • 接口(参考译文帖)(Read Only)
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