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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…
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  • RE: [参考译文] LM3488：如何在 Orcad 上正确导入和使用 LM3488 PSpice 模型并仿真定制原理图？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dominykas： 您能给我另外一些设计规格吗： 输入电压：4.2V 输出电压：？？ 最大负载：？？ 根据所选的反馈分压器、目标输出电压将低于输入电压、因此该器件绝不会变为活动状态。 我们还提供了 LM3488的快速入门计算器设计工具、它有助于计算补偿、反馈分频器等 https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST…

  • RE: [参考译文] LM3481：升压转换器突然开始发出哔哔声、输出电压会在电流较高时下降

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Tobias： 感谢您使用 e2e 论坛。 您随附的前两张图片不是在我这边加载的(我认为这些应该是原理图)、您能否重新附加这些图片？ 波形显示正确、因此我能看到这些。 我们有一个 LM3481快速入门计算工具。 是否也可以填写并附上该计算器？ https://www.ti.com/tool/download/LM3481-BOOST-CALC 基于此、我将更容易审查设计…

  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
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  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1：LM5137F-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees： 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)？ 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…
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  • RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…

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