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  • [参考译文] 同步降压- FET 损耗-计算不起作用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075693/sync-buck-fet-loss-calc-doesn-t-work “线程”中讨论的其它部件： 电机驱动器 FET 损耗计算 ， 同步损耗 FET 损耗计算 我们使用的是 Office…
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  • RE: [参考译文] LM74912-Q1：DGATE 引脚和 HGATE 引脚之间的开关速度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shunshuke： 理想二极管可通过控制输出电压压摆率来抑制浪涌电流。 在发生这种情况时、FET 会承受应力、必须相应地进行缩放。 此应力因系统而异。 我们提供了一个浪涌 SOA 计算器、可以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 我们在数据表中还提供了 FET 选择指南。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：功率限制查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请在启动期间使用该工具验证 SOA https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC
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  • RE: [参考译文] CSD19533Q5A：关于在高电流下并联使用 MOS 管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、盛阳： 感谢您关注 TI FET。 TI 有一个负载开关 FET 选择工具(下面的链接)、可用于确定需要多少个并联 FET 来承载200A 连续电流。 此时、该工具无法并联 FET、但您可以将电流除以 FET 数量、以估算每个 FET 的功率损耗。 对于此应用、除非瞬态电压超过40V、否则您将至少需要一个40V FET。 通常、对于相同的芯片尺寸/封装尺寸、电压较低的 FET…
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  • [参考译文] LM5141：开关损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A , LM5141 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1549430/lm5141-switching-loss-calculations 器件型号…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM5122：极端设计 — Power Designer 不提供出色的解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Paul： 感谢您的澄清。 是的、就是这么简单。 如果有两个相位、电流将在两个相位之间平均分配。 但是、两个相位仍然有自己的电感器电流纹波、具体取决于电感和开关频率。 因此峰值电流可能无法完全减半。 LM5122 器件专为多相实施而设计、因此可平衡相位间的电流。 数据表中提供了有关如何连接 SYNC 引脚以及如何连接 FB、COMP 和 MODE 引脚的说明： 此外…

  • RE: LM5148-Q1: 带负载出现VDDA，VCC，CBOOT，HO，LO引脚对地短路

    我们将不得不进一步调试它。请帮我做以下事情： 您说 4.没有进行过你图上的这种测试，我是在电子负载端，做了动态负载测试，A=0A，B=9A ,输出负载在A和B之间以10A/us的斜率进切换，频率从3Hz-1KHz,均没有出现问题 1.您有进行过此测试的波形吗？ 2.你看到FET或IC有任何损坏吗？还是其他被动因素？ 3.您能填写此设计的快速启动计算器吗： https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 4.您是否更换了电路板上的IC，以检查设计是否重新开始工作…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…

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