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  • RE: [参考译文] TIDA-01606：寻求有关器件更改的建议

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 可能...UCC21710具有 DESAT OCP 功能。 如果您要增大漏极电流、则必须 为新设计确定相应的 DESAT 阈值。 查看此栅极驱动器 calc 工具、它可以帮助您进行 DESAT 设计： https://www.ti.com/tool/download/SLUC695 您需要将 VOCDET (来自电子表格工具)与 SiC FET 的 IV 曲线对齐。 如果您将电压设置得过低…
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  • [参考译文] TPS6593-Q1：功率耗散计算值

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS6593-Q1 , TPS6594-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407868/tps6593-q1-power-dissipation-calc 器件型号…

  • RE: UCC28019: UCC28019无法实现交流电压输入改变条件下稳压输出直流电效果

    好的谢谢，目前我是想使用UCC28019进行，12~36VAC输入输出85VDC。设计。 SCH_UCC28019PFC_2025-05-20.pdf sluc069e.xlsx

  • RE: BQ25756: BQ25756 负载响应

    您好，1，2是用评估板测试出现的问题吗？建议您用评估板做一下测试。 3，可以接GND，电路请参考BQ25756 Schematic Checklist BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf

  • RE: [参考译文] LM5122：在以预偏置负载启动时会发生损坏

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bailey： 感谢您的补充说明。 我还混淆了设计仅用于电阻负载。 SW 到 GND 之间的短接很可能是高于该引脚的绝对最大电压(105V)的结果。 由于目标电压仅为70V、这意味着要么存在非常强的过冲、要么设计运行不稳定。 如果将探头连接到 VSW 测试点5011、则可以测量该值。 为了排除稳定性问题、我建议优化补偿网络(R16、C17、C18)。 根据我们的计算工具…
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
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  • [参考译文] LM5146：LM5146 MOSFET 选择和功率损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1379005/lm5146-lm5146-mosfet-selection-and-power-loss 器件型号： L…
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  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D：如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Sajna， 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析，包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式，允许用户根据功耗，封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡，了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…
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  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：设计审查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shrey： 在共享的原理图中、我看到您有两个软启动电路、您使用的是哪一个？ 您还能填写此 Excel 并与我分享吗？ FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 此致、 S·迪尔
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  • RE: [参考译文] LM25141-Q1：最大输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kiran： 由于 IC 是同步控制器、因此可实现的 I_OUT 取决于外部器件(如 FET、电感器、电容器等)的载流能力 请查看"8.2.2.5.2 MOSFET 选择"。 请分享 Vin、Vout、Fsw、Iout 或填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM25141DESIGN-CALC 、以便我们能够计算您运行条件下的效率…

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