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  • RE: [参考译文] LM3488：LM3488的设计问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zhang： 感谢您使用 e2e 论坛。 您能否提供 电感器数据表？ 您能否为该 LM3488设计填写我们的快速入门计算器工具？ https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 根据这些信息、我们可以探究温度大幅升高的可能根本原因。 谢谢、此致、 Niklas
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  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1：PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗？ 当您处于 FPWM 模式时…
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  • [参考译文] LMG3100R044：对于同步升压转换器、LMG3100R044

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R044 , LMG3100EVM-089 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505347/lmg3100r044-lmg3100r044-for-synchronous…

  • RE: [参考译文] DRV8711：有关 TIDA-01227 与 BOOST-DRV8711 中的栅极驱动器使用的说明（使用 DRV8711）

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Upendra： 感谢您与我们联系。 什么是 主要差异 之间的差异 BOOST-DRV8711 和 TIDA-01227 从栅极驱动架构和电压的角度来看、您的设计是什么？[/报价] TIDA-01227 旨在演示如何使用 DRV8711 步进电机控制器在高于 60V 的电压下控制步进电机。DRV8711 在 12V 的电压下工作、同时使用附加电路转换为高压控制信号…
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  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Masa-San、 下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A…

  • RE: [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：28V DC 到120V DC 转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您与我们联系。 很抱歉给您带来不便。 我们将继续提高 Webench 的覆盖率、但这需要时间。 暂时、请参阅以下链接中的设计计算器以帮助您设计 PSR 反激式器件、包括转换器(集成 FET)或控制器(外部 FET)。 您可以根据功率级别选择合适的器件。 https://www.ti.com/tool/LM5180DESIGN-CALC https…
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：查看原理图

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jimmy： 原理图看起来很棒！ 请参阅以下建议： -到现在为止 CBST 太小了。 请使用最大总栅极电荷（最坏情况）进行计算（所有 FET +预充电 FET）。 足够大的 BST 电容器大小对于正常运行至关重要。 -建议将 48V 网络放置在 TVS 二极管之前、以实现瞬态保护。 -根据输出电容、请考虑在 FET 的栅极上添加额外的压摆率控制。 如果您选择在栅极上添加额外的电容…
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  • [参考译文] LM5149-LM25149DESIGN-CALC：功率损耗限制或警报更新计划

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1211964/lm5149-lm25149design-calc-update…

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