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• RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、David、请发送原理图和带有 FET 器件型号的完整快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 TIM

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM74900-Q1：用于具有断开功能的12V/417A Oring 控制器的器件。

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Navin、 任何可驱动背对背 FET 的控制器均可实现浪涌保护。 因此 LM74800-Q1也可。 我想您指的是仅 LM74900-Q1具有过流保护功能。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 您可以使用此工具检查 MOSFET SOA。 此致、 S·迪尔

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] LM5122：可变输出电压、具有高负载电容

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、GiWi： 感谢您使用 e2e 论坛。 我不建议主动将 SS 引脚电压拉低。 当尝试通过该引脚进行调节时、器件将永远不会退出软启动状态。 在这里、基准不会像最终误差放大器电压那样准确、并且无法通过 MODE 引脚在运行模式之间切换。 相反、我建议优化补偿网络。 追求更高的相位裕度可能会减少瞬态期间的过冲。 快速入门计算器可用于实现以下功能： https://www.ti…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM5122：原理图和布局审查

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Joao、 感谢您使用 e2e 论坛。 很遗憾、我无法打开 kicad_pcb 文件。 但是、根据您所附的图片、我已经对布局进行了概述。 以下是我的评论: 原理图： -不使用输入电容器。 强烈建议您执行此操作以实现稳定的输入电压 -要仔细检查补偿是否已经优化,我建议使用我们的快速入门计算器: https://www.ti.com/tool/download/LM5122…

  • 9 个月前
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• RE: LM3478: 12V输入48V/2A输出的问题

  

  Daniel

  您好 根据您的情况，官方推荐您使用以下工具： https://www.ti.com.cn/tool/FLYBUCK-FLYBACK-DESIGN-CALC 这是官方的电源辅助计算器来帮助您计算相关值。 https://webench.ti.com/power-designer/switching-regulator/customize/26?VinMin=10&VinMax=13&O1V=48&O1I=2&base_pn=LM3478&AppType=None&Flavor=NA&op_TA=30&origin…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

  • 1 年多前
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• [参考译文] TPS61376：该升压器件是否支持 19Vin 和 24V/3A 输出。

  

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  Other Parts Discussed in Thread: TPS61376 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1560593/tps61376-can-this-boost-device-support-19vin-and-24v…

  • 8 个月前
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