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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…

  • RE: LM5146: MOS管驱动信号存在振铃

    SYNCIN在此处处于断路状态，因此在内部下拉，这意味着二极管仿真模式已启用。 这将给出您为轻负载操作测量的波形，其中LO在电感器电流接近零时关闭(振铃是两个FET均关闭时与开关节点电容共振的电感器)。 将SYNCIN与VCC绑定以使用固定FSW在FPWM中设置控制器。 顺便说一句,ILIM的上限太高了。 请使用快速启动计算器帮助选择组件。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM74912-Q1：DGATE 引脚和 HGATE 引脚之间的开关速度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shunshuke： 理想二极管可通过控制输出电压压摆率来抑制浪涌电流。 在发生这种情况时、FET 会承受应力、必须相应地进行缩放。 此应力因系统而异。 我们提供了一个浪涌 SOA 计算器、可以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 我们在数据表中还提供了 FET 选择指南。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：功率限制查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请在启动期间使用该工具验证 SOA https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC
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  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…
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  • RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…
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  • RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、David、请发送原理图和带有 FET 器件型号的完整快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 TIM

  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：用于具有断开功能的12V/417A Oring 控制器的器件。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Navin、 任何可驱动背对背 FET 的控制器均可实现浪涌保护。 因此 LM74800-Q1也可。 我想您指的是仅 LM74900-Q1具有过流保护功能。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 您可以使用此工具检查 MOSFET SOA。 此致、 S·迪尔
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  • [参考译文] LM5141：开关损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A , LM5141 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1549430/lm5141-switching-loss-calculations 器件型号…

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