搜索提示
找到 1,121 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: BQ25756: BQ25756-无输出

    您好，请参考下面schematic checklist确认电路。 4617.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf
    • Answered

  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0 FET 选择排序错误

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1421902/powerstage-designer-power-stage-designer…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5123-Q1：不确定使用 LM5123-Q1或 LM5122的升压控制器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ 现在我不明白:谁有一个更短的死区时间? 是 LM5122还是 LM5123-Q1？ 结果谁具有更好的效率？ 因为您在之前的消息中写入的 LM5122具有更短的死区时间、并且更合理的做法是、当死区时间小于功率损耗时、效率更高。 您声称对方是如此。 bo xia1 说： 由于死区时间较短，LM5123的效率将略优于 LM5122 LM5123-Q1是否只能与双 FET…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D：如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Sajna， 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析，包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式，允许用户根据功耗，封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡，了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…

  • RE: BQ25756: BQ25756 周边选用MOS是否有什么注意点

    您好，请参考下面文档 BQ25756 Schematic and Layout Checklist 4150.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5022：计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器： www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…

  • [参考译文] PMP23338：小型升压和 NTC 旁路 FET

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21220 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1465467…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM7481：MOSFET 故障

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Marius： 都似乎出现了 MOSFET SOA 故障。 启动期间是否打开下游负载？ 请使用此工具来设计您的启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5146：ILIM RC 电路和电流限制问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Benjamin： ILIM 电容仅用于防止 ILIM 引脚电压变为负值。 增加时间常数将影响高占空比(低 toff)下的检测、因为 ILIM 电压下降速度不会像 SW 电压那么快。 请注意、电流限制设定值取决于 Vgs = 7.5V 时的低侧 FET Rdson。 发送快速启动文件以供查看-这是最新版本： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。