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找到 1,055 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: [参考译文] 电机驱动器 TI 建议

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 感谢您的查询。 FET 是否需要通过汽车认证? 如果是、则 TI 没有任何通过自动认证的 FET、并且我们不打算将任何器件认证为汽车标准。 我将在下面添加一个用于 BLDC 应用的 TI FET 选择工具链接。 它允许用户根据功率损耗比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 对于单通道40V FET、采用5x6mm SON 封装的 CSD18514Q5A…
    • 3 年多前
    • 电机驱动器(参考译文帖)
    • 电机驱动器(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] LM5148:LM5148RGYR 输出损耗与高负载间的关系

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: BQ25703A: 开关MOS不工作/无波形,REGN有6V

    Cherry Zhou
    Cherry Zhou
    您好, BATFET放反了,这应该就是问题的来源。 实际上它应该在buck mode下工作,因为FET需要处于满量状态,但不能在boost mode下工作。
    • 2 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] CSD16301Q2:CSD16301Q2能否支持此激光器,其工作电压仅为1.2V?

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好,Wu Shi, 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用,但根据激光二极管的规格,它可能会因电流而过载,最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关,且电源接地? 或者,它是一个高侧负载开关,源是浮动的? 低侧开关更易于驱动,因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧,必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET…
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] BQ25820:BQ25820是否可以将充电电流升压到超过20A?

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: BQ25820 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520737/bq25820-bq25820-boosting-the-charge-current-beyond…
    • 4 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM25149:为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] CSD88599Q5DC:电机驱动 FET 损耗计算器电子表格不包含电源块部件

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC , CSD88584Q5DC 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000125/csd88599q5dc-motor-drive-fet-loss…
    • 已回答
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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