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找到 1,121 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: BQ25756: BQ25756 负载响应

    您好，1，2是用评估板测试出现的问题吗？建议您用评估板做一下测试。 3，可以接GND，电路请参考BQ25756 Schematic Checklist BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf

  • RE: [参考译文] TIDA-01606：寻求有关器件更改的建议

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 可能...UCC21710具有 DESAT OCP 功能。 如果您要增大漏极电流、则必须 为新设计确定相应的 DESAT 阈值。 查看此栅极驱动器 calc 工具、它可以帮助您进行 DESAT 设计： https://www.ti.com/tool/download/SLUC695 您需要将 VOCDET (来自电子表格工具)与 SiC FET 的 IV 曲线对齐。 如果您将电压设置得过低…
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  • RE: [参考译文] BQ25751：降压/升压开关频率确认和电路功能确认

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sun、 [引用 userid=“501322" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1561489/bq25751-buck-boost-switching-frequency-confirmation-and-circuit…

  • RE: UCC28019: UCC28019无法实现交流电压输入改变条件下稳压输出直流电效果

    好的谢谢，目前我是想使用UCC28019进行，12~36VAC输入输出85VDC。设计。 SCH_UCC28019PFC_2025-05-20.pdf sluc069e.xlsx
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  • RE: [参考译文] LM74900-Q1：设计审查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shrey： 在共享的原理图中、我看到您有两个软启动电路、您使用的是哪一个？ 您还能填写此 Excel 并与我分享吗？ FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 此致、 S·迪尔
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  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：建议的最小开关频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Guillermo、 我知道您无法分享原理图。 我建议您查看 LM5122 的快速入门计算工具 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC Q1 和非 Q1 版本的所有公式和计算都相同、因此这没有任何区别。 该计算器不允许负电压、但如果您 考虑将连接到 AGND 的–48V 电平设置为“0V"，“，则、则占空比、斜率补偿等的计算会再次变为有效…
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  • [参考译文] LM5146：LM5146 MOSFET 选择和功率损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1379005/lm5146-lm5146-mosfet-selection-and-power-loss 器件型号： L…
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  • [参考译文] TPS6593-Q1：功率耗散计算值

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS6593-Q1 , TPS6594-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407868/tps6593-q1-power-dissipation-calc 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LM25141-Q1：最大输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kiran： 由于 IC 是同步控制器、因此可实现的 I_OUT 取决于外部器件(如 FET、电感器、电容器等)的载流能力 请查看"8.2.2.5.2 MOSFET 选择"。 请分享 Vin、Vout、Fsw、Iout 或填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM25141DESIGN-CALC 、以便我们能够计算您运行条件下的效率…
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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…

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