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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…

  • RE: [参考译文] LM5122：在以预偏置负载启动时会发生损坏

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bailey： 感谢您的补充说明。 我还混淆了设计仅用于电阻负载。 SW 到 GND 之间的短接很可能是高于该引脚的绝对最大电压(105V)的结果。 由于目标电压仅为70V、这意味着要么存在非常强的过冲、要么设计运行不稳定。 如果将探头连接到 VSW 测试点5011、则可以测量该值。 为了排除稳定性问题、我建议优化补偿网络(R16、C17、C18)。 根据我们的计算工具…
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：具有背对背或理想二极管的反向电流保护？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 标记、 感谢您发送编修。 对于#1 -在这种情况下、我们给出的最佳建议是在开关的输出端放置一个 TVS 二极管、以钳制由于电感关断而产生的负电压(不管怎样、如果存在此类热插拔事件、这可能是一个好主意。 并联 FET 时、导通时间将会增加、因为您还需要增大电荷泵电容。 由于电荷泵电容更大、因此需要一定的时间才能达到特定的阈值(8.6V)。 此外、您还可以在每个 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5117：无输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 这些 FET 是具有极高栅极电荷和电容的旧技术器件。 当 Vgs = 7.5V 时、Qg 为200nC、因此开关速度非常慢。 此外、当 VOUT 不会过驱 VCC 时、启动期间将超过 VCC 稳压器的电流限制(最小30mA、典型值42mA)。 每个 FET 的 IVCC = Qg*Fsw = 200nC*220kHz = 44mA。 请选择较低的栅极电荷…
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  • RE: [参考译文] BQ25750：BAT FET 短暂开启

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我找到了这个主题 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1463336/bq25750-buck-boost-charge-solution 赞同这项建议 “如果 VBAT 高于 30V、我建议在 BATDRV 上安装 10Ω 和…
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  • [参考译文] LMR51440：若要计算开关损耗、您能否提供体二极管的 Vf 和 FET 的上升/下降时间

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    Other Parts Discussed in Thread: LMR51440 , LMR51430 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1432207/lmr51440-to-calculate-switching-loss-could…
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  • [参考译文] LM5149-Q1：IN48V OUT25V8A

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC , LM5149 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1306149/lm5149-q1-in48v-out25v8a …
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  • [参考译文] LM5149-Q1：IN48V OUT25V8A

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC , LM5149 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1306149/lm5149-q1-in48v-out25v8a …
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  • [参考译文] LM7481-Q1：MOSFET SOA 裕度计算器工具

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1442139/lm7481-q1-mosfet-soa-margin-calculator-tool 器件型号： LM7481-Q1 工具与软件： 嗨、团队： 客户发现、在这篇文章中、我们建议客户使用此工具…
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  • RE: [参考译文] 电机驱动器 TI 建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 感谢您的查询。 FET 是否需要通过汽车认证？ 如果是、则 TI 没有任何通过自动认证的 FET、并且我们不打算将任何器件认证为汽车标准。 我将在下面添加一个用于 BLDC 应用的 TI FET 选择工具链接。 它允许用户根据功率损耗比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 对于单通道40V FET、采用5x6mm SON 封装的 CSD18514Q5A…

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