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  • RE: [参考译文] DRV8711：DRV8711：4 通道设计–驱动器#1 和放大器；#3 无 PWM、驱动器#4 故障、仅#2 工作

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Upendra： 感谢您的跟进。 [报价 userid=“671616" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1568877/drv8711-drv8711-4-channel-design-drivers-1-3-no-pwm-driver-4…
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  • RE: [参考译文] LM3481-Q1：Rsense 值变化问题。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 赵贵强 感谢您使用 e2e 论坛。 此精确值没有物理电阻分量、因此选择2m Ω 或3m Ω 是合理的。 对器件本身的影响是峰值电流限制已更改(器件触发过流保护并开始限制占空比的时间点)。 是否更适合2m Ω 或3m Ω 取决于客户的预期负载条件。 我们通常建议使用较低的值、以便在正常运行期间不会意外触发 OCP。 您还可以使用我们的快速入门计算器工具、查看基于不同检测电阻的最大电流限制…
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  • RE: [参考译文] CSD16301Q2：CSD16301Q2能否支持此激光器，其工作电压仅为1.2V？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Wu Shi， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用，但根据激光二极管的规格，它可能会因电流而过载，最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关，且电源接地？ 或者，它是一个高侧负载开关，源是浮动的？ 低侧开关更易于驱动，因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧，必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET…
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  • RE: [参考译文] TPSM843B22EVM：TPSM843B22 激光驱动器的降压电源模块限制和设计要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 对于电源模块来说、电感器集成到封装中是好事、也是坏事。 TPSM843B22 功率级针对 0.8V 至 1.2V 等较低输出电压进行了更优化。 在电感器受限和您独特的用例的情况下、我很难确定 TPSM843B22 是否合适。 TPSM843B22 还具有用于软启动、电流限制和集成环路补偿的分立式设置、这减少了外部元件数量、但灵活性较差。 我不推荐 TPS56221、但具有类似功能的器件可能会更好…
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  • RE: [参考译文] LM25143：LM25143设计查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hyunkyu： 电流能力取决于功率级元件、而不是控制器本身。 对于3.3V/64A、我建议至少使用两相。 使用40V FET 时可实现32A/相、但不适用于高环境温度。 是否可以进行强制冷却？ 我建议使用快速入门计算器来帮助选择器件： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 PS：请参阅有关四相设计的应用手册： …
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  • [参考译文] CSD88599Q5DC：电机驱动 FET 损耗计算器电子表格不包含电源块部件

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC , CSD88584Q5DC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000125/csd88599q5dc-motor-drive-fet-loss…
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  • [参考译文] TPS92682-Q1：SPI 损耗期间的 CV 升压配置

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS92682-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1444529/tps92682-q1-cv-boost-configuration-during-spi-…

  • [参考译文] TIDM-02009：3.6KW 升压转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1395869/tidm-02009-3-6kw-boost-converter 器件型号： TIDM-02009 工具与软件： 输入电压：12V PWM 占空比…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • RE: [参考译文] LM25149：具有外部功率级元件的降压转换器的最大能力- LM25149

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rakesh、 这实际上取决于生成斜坡信号的实际实现、斜坡信号是控制环路的一部分、我们不建议 Rsense 低于约1mR、建议的裕度略高于此值、假设作为一种保守方法、建议1.4mR、1.5mR。 低于 Min 可能会 因噪声而导致噪声问题和不稳定。 然后是热性能、这是另一个主要限制因素。 请随时使用我们的计算器电子表格、您可以输入 FET 参数、并向您显示 FET 中的损耗…

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