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  • RE: [参考译文] LM5123-Q1：不确定使用 LM5123-Q1或 LM5122的升压控制器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ 现在我不明白:谁有一个更短的死区时间? 是 LM5122还是 LM5123-Q1？ 结果谁具有更好的效率？ 因为您在之前的消息中写入的 LM5122具有更短的死区时间、并且更合理的做法是、当死区时间小于功率损耗时、效率更高。 您声称对方是如此。 bo xia1 说： 由于死区时间较短，LM5123的效率将略优于 LM5122 LM5123-Q1是否只能与双 FET…

  • RE: BQ25756: BQ25756 周边选用MOS是否有什么注意点

    您好，请参考下面文档 BQ25756 Schematic and Layout Checklist 4150.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf
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  • RE: [参考译文] CSD18514Q5A：CSD18514Q5A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jani、 谢谢咨询。 有很多关于 MOSFET PSpice 模型的文献。 我在下面提供了一个链接、该链接对不同的型号级别进行了很好的说明。 7级 BSIM 3是最高级别的模型、在预测开关损耗方面应相当准确。 CSD18514Q5A 模型包含寄生元件、电容以表格形式列出了模型、以紧密反映随 VDS 变化的非线性性质、如数据表的图5所示。 我们还提供基于 Excel 的…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0 FET 选择排序错误

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1421902/powerstage-designer-power-stage-designer…
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  • [参考译文] LM5155：反激式升压转换器中的双开关脉冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1553396/lm5155-double-switching-pulse-in-flyback-boost-converter 器件型号： LM5155 工具/软件： 尊敬的 TI 团队： 对于如何消除这种双开关脉冲…
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  • RE: [参考译文] LM5022：计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器： www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利
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  • [参考译文] BQ25756：将并联 MOSFET 与 BQ25756 结合使用

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1624699/bq25756-using-parallel-mosfets-with-bq25756 器件型号： B…

  • [参考译文] PMP23338：小型升压和 NTC 旁路 FET

    Other Parts Discussed in Thread: UCC21220 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1465467…
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  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…

  • RE: BQ25756: BQ25756 负载响应

    您好，1，2是用评估板测试出现的问题吗？建议您用评估板做一下测试。 3，可以接GND，电路请参考BQ25756 Schematic Checklist BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf

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