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找到 1,122 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
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  • RE: [参考译文] LM5146:空载电流

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗: https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS:假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5122:12-24@20A 和12-48@10A

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 JT、您好! 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该非常适合此应用、因为它符合规范并且支持多相。 下面是一个600W 四相参考设计、可能会解答您的一些问题: https://www.ti.com/tool/PMP11112 由于您的两种设计规格(24V@ 20A 和48V@ 10A)具有相同的输出功率、因此我会对这两种应用使用相同的相位数量。 要检查的重要器件是电感器和…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM25149:为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] LM5122ZA:升压转换器–>较高输出电压下重复的低侧 FET 故障

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: LM5122ZA 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1532165/lm5122za-boost-converter-repeated-low-side-fet-failures…
    • 10 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5123-Q1:请查看该升压转换器设计

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好! 非常感谢您的回复! bo xia1 说: 我将完全移除 C9并仅将 C8保留在 FET 旁边(可能将 C9移至 J2附近)。 C9已移至 J2附近。 bo xia1 说: 您能否在顶层构建 AGND 岛(如数据表中所示)? 然后所有 AGND 元件将更直接地连接、而不是通过所有这些过孔连接。 已建立一个 AGND 岛。 我将过孔保留在那里、以确保与其他 AGND…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM3488:无法切换。 DR 引脚始终开启。

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kenneth: 感谢您使用 e2e 论坛。 我没有直接在原理图中看到任何连接错误。 您可以使用我们的快速入门计算器工具仔细检查补偿和电感器选择: https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 有关故障描述的问题: 如果 Vout 跟随 Vin、则表明器件不进行开关、DR 引脚保持为0V、IC 不运行。 您提到了…
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D:设计可行性

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Frank1、 感谢您的查询。 CSD86360Q5D 是一款高性能25V 电源块、可能会对客户的应用造成严重影响。 我们有一款用于同步降压的基于 Excel 的 TI FET 选择工具、可让您输入您的要求、并比较多达3种不同的 TI 分立式或电源块 FET 解决方案、以了解功率损耗、封装和成本。 我已插入您的要求以及控制 IC 中栅极驱动器的一些参数。 对于5x6mm…
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 2 年多前
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1:在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian: 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
    • 2 年多前
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