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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284426/powerstage-designer-power-stage-designer-5-0 器件型号： 功率级设计器 在 FET Loss 页面上、我认为传导损耗的计算应该是 W、而不是…
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  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1284426/powerstage-designer-power-stage-designer-5-0 器件型号： 功率级设计器 在 FET Loss 页面上、我认为传导损耗的计算应该是 W、而不是…
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  • RE: [参考译文] MCT8316Z：MCT8316Z 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 TG Sachin 在接下来的几天里离开。 我在这里添加一些注释。 与分立式 FET 相比、这是一种内置栅极驱动器的集成式解决方案。 因此、必须根据数据表中提到的器件的绝对最大额定值来评估 SOA。 其中包括最大绝对电压、峰值电流和最高结温。 连续电流额定值的计算必须基于功率损耗和由此产生的温升(Tj)。 可以使用工具 https://www.ti.com/tool/download…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • [参考译文] BQ25713：适用于断电告警应用的 TI#39；s 窄 VDC 降压/升压电池充电控制器&quot；BQ25713&quot；咨询

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25713 , BQ25713B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1417857/bq25713-inquiry-regarding-ti-s-narrow-vdc…
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  • RE: [参考译文] TPS923655：使用 TPS92355作为降压/升压转换器的条件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的客户： Unknown 说： 根据我的理解、可能还有其他原因、但 TPS923655不处于开关 FET 逐周期电流限制范围、因此即使在电压为6V、5A 时也无法使用、这是正确的吗？ (TPS923655→5.8A 至7.6A) 可以。 您是对的。 由于开关 FET 逐周期电流限制、TPS923655不能在降压/升压连接中使用 Vin = 8V、V_LED = 6V、I_LED…

  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：PSR 反激式转换器设计

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ravi 您好、 感谢您与我们联系。 总负载约为~90W、LM25184-Q1无法支持该负载、因为其内部固定电流限制为4.1A 典型值。 相反、我会推荐 LM5185-Q1 PSR 反激式控制器、该控制器采用了外部 FET 和电流检测电阻器。 有关详细信息、请访问 www.ti.com/.../LM5185-Q1。 您还可以使用设计计算器来帮助您进行设计。 有关计算器、请访问 …

  • RE: [参考译文] TPS2410：使用 TPS2410的双向块电路

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Conor： 欢迎使用 E2E！ 实际上预计会通过理想二极管泄漏。 LM74800和801的工作方式仅有微小的差异、我希望您已经看到这一点。 1.在 LM74801-Q1中、可以通过 EN 引脚打开/关闭控制器。 2/3. 一旦上述条件无效、DGATE 将重新开启。 4. MOSFET 的选择必须确保它们在启动过程中不会发生故障。 浪涌电流限制器可用于 SOA…

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