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  • RE: [参考译文] DRV8711：DRV8711：4 通道设计–驱动器#1 和放大器；#3 无 PWM、驱动器#4 故障、仅#2 工作

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Upendra： 感谢您的跟进。 [报价 userid=“671616" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1568877/drv8711-drv8711-4-channel-design-drivers-1-3-no-pwm-driver-4…
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  • RE: [参考译文] TPSM843B22EVM：TPSM843B22 激光驱动器的降压电源模块限制和设计要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 对于电源模块来说、电感器集成到封装中是好事、也是坏事。 TPSM843B22 功率级针对 0.8V 至 1.2V 等较低输出电压进行了更优化。 在电感器受限和您独特的用例的情况下、我很难确定 TPSM843B22 是否合适。 TPSM843B22 还具有用于软启动、电流限制和集成环路补偿的分立式设置、这减少了外部元件数量、但灵活性较差。 我不推荐 TPS56221、但具有类似功能的器件可能会更好…

  • [参考译文] TIDM-02009：3.6KW 升压转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1395869/tidm-02009-3-6kw-boost-converter 器件型号： TIDM-02009 工具与软件： 输入电压：12V PWM 占空比…
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  • [参考译文] TPS92682-Q1：SPI 损耗期间的 CV 升压配置

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS92682-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1444529/tps92682-q1-cv-boost-configuration-during-spi-…
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  • RE: [参考译文] LM25149：具有外部功率级元件的降压转换器的最大能力- LM25149

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rakesh、 这实际上取决于生成斜坡信号的实际实现、斜坡信号是控制环路的一部分、我们不建议 Rsense 低于约1mR、建议的裕度略高于此值、假设作为一种保守方法、建议1.4mR、1.5mR。 低于 Min 可能会 因噪声而导致噪声问题和不稳定。 然后是热性能、这是另一个主要限制因素。 请随时使用我们的计算器电子表格、您可以输入 FET 参数、并向您显示 FET 中的损耗…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…
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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
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  • RE: [参考译文] LM5122：12-24@20A 和12-48@10A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 JT、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该非常适合此应用、因为它符合规范并且支持多相。 下面是一个600W 四相参考设计、可能会解答您的一些问题： https://www.ti.com/tool/PMP11112 由于您的两种设计规格(24V@ 20A 和48V@ 10A)具有相同的输出功率、因此我会对这两种应用使用相同的相位数量。 要检查的重要器件是电感器和…
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D：设计可行性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Frank1、 感谢您的查询。 CSD86360Q5D 是一款高性能25V 电源块、可能会对客户的应用造成严重影响。 我们有一款用于同步降压的基于 Excel 的 TI FET 选择工具、可让您输入您的要求、并比较多达3种不同的 TI 分立式或电源块 FET 解决方案、以了解功率损耗、封装和成本。 我已插入您的要求以及控制 IC 中栅极驱动器的一些参数。 对于5x6mm…

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