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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391808/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling…
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  • RE: [参考译文] LM25145：请帮助查看电路图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Winnie、 您的原理图看起来很好。 可能只有3mm x 3mm 的 MOSFET 才会发热、需要考虑这些组件的功率损耗和热管理。 请使用快速入门计算器仔细检查您的组件值、如果您填写 MOSFET 信息、它还将提供估算的 FET 功率损耗、可用于估算温升。 https://www.ti.com/tool/LM25145DESIGN-CALC 希望这对您有所帮助。 -奥兰多…
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  • RE: [参考译文] LM25145：请帮助查看电路图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Winnie、 您的原理图看起来很好。 可能只有3mm x 3mm 的 MOSFET 才会发热、需要考虑这些组件的功率损耗和热管理。 请使用快速入门计算器仔细检查您的组件值、如果您填写 MOSFET 信息、它还将提供估算的 FET 功率损耗、可用于估算温升。 https://www.ti.com/tool/LM25145DESIGN-CALC 希望这对您有所帮助。 -奥兰多…
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  • RE: [参考译文] LM25145：请帮助查看电路图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Winnie、 您的原理图看起来很好。 可能只有3mm x 3mm 的 MOSFET 才会发热、需要考虑这些组件的功率损耗和热管理。 请使用快速入门计算器仔细检查您的组件值、如果您填写 MOSFET 信息、它还将提供估算的 FET 功率损耗、可用于估算温升。 https://www.ti.com/tool/LM25145DESIGN-CALC 希望这对您有所帮助。 -奥兰多…
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  • RE: [参考译文] LM3478：不能正常工作

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sun： 感谢您使用 e2e 论坛。 您提到 VDD_OUT 为0V。 这也意味着初始直流电源具有0V 电压、因为在升压拓扑中存在从输入到输出的直接路径。 即使器件处于非活动状态、输出电压也应跟随输入电压。 您能否仔细检查电源是否可以支持初始电流要求而没有达到其电流限值？ 原理图结构对我来说没问题。 图中的输出电容为0.1 μ F、这是非常小的电容、但您提到稍后会有额外的电容…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：将 FDMC8010DC 替换为 CSD88599Q5DC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mladen、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD88599Q5DC 电源块是电机驱动应用的理想选择。 它已针对此应用进行了优化、包括顶部冷却、并在单个器件的空间中集成了两个 FET。 在电机驱动中、选择 MOSFET 的一个关键因素是导通电阻、因为导通损耗可能是主要的功率损耗。 考虑到这一点、TI 已将极低的导通电阻 FET 集成到这种5x6mm 的 Dual-Cool…
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  • [参考译文] TPD1S514：如何通过 FET 电流通过计算器件内部的总损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: TPD1S514 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1438815/tpd1s514-how-to-calculate-the-total-loss-inside-the-device-with-fet-current…
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  • RE: BQ25713B: 发热比较严重

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    您好，请参考下面的内容 As this is a charge controller, the thermal dissipation/heat will be localized on the external power stage, i.e your external switching FETs and inductor. The key top optimizing thermal performance is making sure you have enough vias to ground…
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  • [参考译文] LMG3522R030-Q1：对具有 UCC28950-Q1 PSFB 控制器的 GaN 提供仿真或损耗分析支持

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950-Q1 , LMG3522R030-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • RE: [参考译文] TPS923655DMTREVM：TPS923655DMTR：电流消耗和放大器不稳定；升压模式下发热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Thomas： Unknown 说： 在我使用同一 IC 测试的另一块电路板上获得了相同的结果。 我想知道您的原始设置是否损坏了 IC。 因此、如果可能、请首先进行上述修改、然后将 IC 更换为新 ROM。 请尝试一下、看看它是否有帮助。 [报价 userid="641036" url="~/support/power-management-group/power-management…

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