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  • [参考译文] LMG3522R030-Q1：对具有 UCC28950-Q1 PSFB 控制器的 GaN 提供仿真或损耗分析支持

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950-Q1 , LMG3522R030-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • RE: [参考译文] TPS923655DMTREVM：TPS923655DMTR：电流消耗和放大器不稳定；升压模式下发热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Thomas： Unknown 说： 在我使用同一 IC 测试的另一块电路板上获得了相同的结果。 我想知道您的原始设置是否损坏了 IC。 因此、如果可能、请首先进行上述修改、然后将 IC 更换为新 ROM。 请尝试一下、看看它是否有帮助。 [报价 userid="641036" url="~/support/power-management-group/power-management…
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  • RE: [参考译文] CD74HCT221：脉冲宽度与非政治计算的计算值在第一个多谐振荡器输出端不匹配？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Vinay、 Unknown 说： 我们看到~2us 放电时间 (通道0.01uf)相比我们看到通道放电时间为~20us (通道为0.1uf (C28))、这让我想知道进一步降低电容 值会产生什么影响。 这正是我所期望的-在对电容器放电时、内部 FET 进入饱和状态、因此具有恒定电流放电。 10倍电容器= 10倍放电时间。 Unknown 说： 我确实尝试根据测试检查重新计算了…
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  • RE: [参考译文] LM27403：常见问题39：在直流/直流电源设计工具中为高/低侧 MOSFET 优化 LM27403的逻辑或方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Webench 有助于计算下面的耗散功率图像。 我认为功率耗散和结温是关键限制。 Ron 和 ThetaJA 用于估算 FET 的功率损耗和结温。 数据表中发布了所使用的 ThetaJA 和用于确定热阻抗的标准。 https://www.ti.com/tool/download/LM27403DESIGN-CALC 的产品文件夹中提供了一个 Excel 工作表、 如果您想要更简单的解决方案…
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  • RE: [参考译文] LM27403：常见问题39：在直流/直流电源设计工具中为高/低侧 MOSFET 优化 LM27403的逻辑或方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Webench 有助于计算下面的耗散功率图像。 我认为功率耗散和结温是关键限制。 Ron 和 ThetaJA 用于估算 FET 的功率损耗和结温。 数据表中发布了所使用的 ThetaJA 和用于确定热阻抗的标准。 https://www.ti.com/tool/download/LM27403DESIGN-CALC 的产品文件夹中提供了一个 Excel 工作表、 如果您想要更简单的解决方案…
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  • [参考译文] BQ25756：采用 GaN FET 芯片(EPC23102ENGRT)和降压/升压控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328310/bq25756-using-gan-fet-chip-epc23102engrt-with-the-buck…

  • [参考译文] TPS40210：升压-负载时、MOSFET 中的损耗很高

    Other Parts Discussed in Thread: TPS40210 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462523/tps40210-boost---very-high-losses-in-mosfet-at-lo…

  • RE: LM5175: boost模式启动时电感电流大

    您好 ‌原因‌： ‌Boost电路特性‌：Boost电路升压时，输出电压的升高主要依赖电抗器（电感）中的感应电压。由于输出电压相对于输入电压有所升高，根据公式UL = Ldi/dt，电感值越小，电流变化就越剧烈，从而导致电感电流在启动时较大。 ‌大电容充电冲击‌：在电路上电时，输出端的电解电容需要充电，这个充电过程不受开关管控制，因此电流会从小变大。如果电感量不是很大，电流很快就能变得很大。 ‌解决措施‌： ‌…
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  • RE: [参考译文] BQ25820：VIN：48V、10节锂离子电池、CC：20A、CV：42V 充电

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Carsten、您好！ [报价 userid="559707" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1421388/bq25820-vin-48v-10-cell-li-ion-cc-20a-cv-42v-charging 是否有适用于…
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  • RE: [参考译文] LM5146：启动时发生过流-开关节点波形不良

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您能否分享您实际更新的原理图？ 您还可以将 Excel 计算器附加到 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 看起来两个 FET 都关断、SW 节点在 VOUT 周围振铃。 这是二极管仿真的正常情况。 您可以通过检查 HO 和 LO 来检查 FET 是否都导通(跨导)。 启动至满载还是空载？ 这会在空载时发生吗…

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