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  • RE: BQ25713B: 发热比较严重

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    您好，请参考下面的内容 As this is a charge controller, the thermal dissipation/heat will be localized on the external power stage, i.e your external switching FETs and inductor. The key top optimizing thermal performance is making sure you have enough vias to ground…
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  • RE: [参考译文] LM5146：启动时发生过流-开关节点波形不良

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您能否分享您实际更新的原理图？ 您还可以将 Excel 计算器附加到 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 看起来两个 FET 都关断、SW 节点在 VOUT 周围振铃。 这是二极管仿真的正常情况。 您可以通过检查 HO 和 LO 来检查 FET 是否都导通(跨导)。 启动至满载还是空载？ 这会在空载时发生吗…

  • RE: [参考译文] LM5122：升压 SMPS 输出具有高噪声、甚至不接近 TI webench

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Daniel： 要共享 webench 设计,您可以将设计打印为 pdf 格式或进行屏幕截图。 HO MOSFET 周围的 RC 电路是缓冲器。 如果在开关节点上看到较大的过冲或振铃、此缓冲器用于抑制这些过冲。 它们通常不在 webench 中实现、因为过冲和振铃可能来自很多方面、其中还包括布局、因此不可能仅根据您在 webench 中输入的输入来计算合适的缓冲器值。…

  • RE: LM5175: boost模式启动时电感电流大

    您好 ‌原因‌： ‌Boost电路特性‌：Boost电路升压时，输出电压的升高主要依赖电抗器（电感）中的感应电压。由于输出电压相对于输入电压有所升高，根据公式UL = Ldi/dt，电感值越小，电流变化就越剧烈，从而导致电感电流在启动时较大。 ‌大电容充电冲击‌：在电路上电时，输出端的电解电容需要充电，这个充电过程不受开关管控制，因此电流会从小变大。如果电感量不是很大，电流很快就能变得很大。 ‌解决措施‌： ‌…
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  • RE: [参考译文] LM5116：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bindu、 查看 LM5145 75V 控制 器及其快速入门计算器 www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC。 这样、您就可以根据输入的参数查看 MOSFET 功率损耗。 请注意、LM5145 EVM 设置为5V/20A/225kHz、采用80V FET (高侧 FET 与上文所述相同)。 5.25V/10A 不应成为问题。 此致、 …
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  • RE: [参考译文] BQ25756：此芯片上的效率理解

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、数据表中的效率结果是基于我们对 EVM 的分析。 效率结果会受到输入和输出电压和电流以及所使用的无源器件(例如 FET、电感器、电容器等)的极大影响。 96%以上是基于我们的 EVM 而设计的、且具有所有实际组件。 如果您使用自己的不同组件、则会看到不同的结果。 请查看我们的设计计算器、它可用于进行精确计算、并提供所有需要的值、以便您为应用选择最适合的组件。 www.ti…
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  • [参考译文] BQ25756：采用 GaN FET 芯片(EPC23102ENGRT)和降压/升压控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328310/bq25756-using-gan-fet-chip-epc23102engrt-with-the-buck…
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  • RE: [参考译文] TPS1212-Q1：原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ryker、 原理图看起来很好。 请参阅以下建议： -对于故障/WAKE 引脚 — 我知道当引脚变为低电平时 FET 将亮起、但为什么 每个器件引脚连接两个 MCU 引脚有特定用途吗？ -对于连接–请确保栅极和源极引脚没有直接连接/短接。 它看起来并不像它,但它是有点难看到确切的点/连接. -DRAIN 需要连接到 RSNS 电阻器之后的 VBATT 线路上。 请参阅以下内容…
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  • RE: [参考译文] TPS2378：原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Andrew、您好！ 从较高层面来看、原理图看起来很好。 您可以 选择将 VCCX 连接到 VOUT 以提高效率。 请使用快速入门计算器仔细检查组件值、您还可以输入 FET 规格并估算效率。 请访问 https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 将来、请对 不同的器件使用单独/新的 E2E 主题、这样可确保 在系统中正确发送帮助…

  • [参考译文] TPS40210：升压-负载时、MOSFET 中的损耗很高

    Other Parts Discussed in Thread: TPS40210 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462523/tps40210-boost---very-high-losses-in-mosfet-at-lo…

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