Search tips
Showing 939 results View by: Thread Post Sort by
    Answered

  • [参考译文] LM5146DESIGN-CALC：VIN =欠压时的 Vout (高侧 FET 上电)

    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 , LM25148 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407910/lm5146design-calc-vin-vout-at-brown-out-power…
    • Resolved
    • Answered

  • RE: [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

    Resolved
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh： 请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5069：电源保护

    Resolved
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil： 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

    Resolved
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: [参考译文] LM74502-Q1：如何调节 VGS、这样即使在高温下也能调节浪涌电流？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Deepak、您好！ 您可以更改 Rg = 100欧姆、而不是1k。 1k 时、FET 关断时间会更长。 您可以使用该工具来帮助设计启动电路。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 可以使用1.75mF。 220uF 只是一个示例、具体取决于系统要求。 只要外部 FET 可以支持、就可以使用任何 COUT 值。 此致、 Shiven…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5022：计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

    Resolved
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器： www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：具有背对背或理想二极管的反向电流保护？

    Resolved
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 标记、 感谢您发送编修。 对于#1 -在这种情况下、我们给出的最佳建议是在开关的输出端放置一个 TVS 二极管、以钳制由于电感关断而产生的负电压(不管怎样、如果存在此类热插拔事件、这可能是一个好主意。 并联 FET 时、导通时间将会增加、因为您还需要增大电荷泵电容。 由于电荷泵电容更大、因此需要一定的时间才能达到特定的阈值(8.6V)。 此外、您还可以在每个 FET…

  • BQ40Z80: BQ40Z80 定制的化学ID7778，进行学习测试在04步骤不更新，QMAX也不更新问题

    TI Thinks Resolved
    Part Number: BQ40Z80 1325.roomtemp_rel_dis_rel.csv 5040.GG.gg.csv ChemID #7778.txt Hi Banban, ChemID #7778 is complete! Info: • CC Number : 2408027 • Cell Maker : GRP • Cell Model : 6053117-S3A…

  • RE: [参考译文] DRV8711：前置驱动器故障

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 能够在预驱动器故障检测器似乎错误触发时将其禁用、对我们来说非常有用。 我已经订购了一些120Ω 电阻器、并将在它们到达后尝试进行安装、这不是我的首选解决方案、因为我野生中有~800块电路板、我无法对它们全部进行修改。 另外一个板就在这个板的旁边、因此很容易进行互换。 不过、我已经知道这个问题会影响我的所有电路板、并且很可能仍然是前置驱动器故障检测错误。 输出 FET 是 CSD88537ND…

Didn't find what you are looking for? Post a new question.