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  • RE: [参考译文] LM27403：常见问题39：在直流/直流电源设计工具中为高/低侧 MOSFET 优化 LM27403的逻辑或方法

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Webench 有助于计算下面的耗散功率图像。 我认为功率耗散和结温是关键限制。 Ron 和 ThetaJA 用于估算 FET 的功率损耗和结温。 数据表中发布了所使用的 ThetaJA 和用于确定热阻抗的标准。 https://www.ti.com/tool/download/LM27403DESIGN-CALC 的产品文件夹中提供了一个 Excel 工作表、 如果您想要更简单的解决方案…
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  • [参考译文] TPD1S514：如何通过 FET 电流通过计算器件内部的总损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: TPD1S514 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1438815/tpd1s514-how-to-calculate-the-total-loss-inside-the-device-with-fet-current…
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  • RE: [参考译文] LM5116：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bindu、 查看 LM5145 75V 控制 器及其快速入门计算器 www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC。 这样、您就可以根据输入的参数查看 MOSFET 功率损耗。 请注意、LM5145 EVM 设置为5V/20A/225kHz、采用80V FET (高侧 FET 与上文所述相同)。 5.25V/10A 不应成为问题。 此致、 …
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  • RE: [参考译文] LM5146：启动时发生过流-开关节点波形不良

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您能否分享您实际更新的原理图？ 您还可以将 Excel 计算器附加到 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 看起来两个 FET 都关断、SW 节点在 VOUT 周围振铃。 这是二极管仿真的正常情况。 您可以通过检查 HO 和 LO 来检查 FET 是否都导通(跨导)。 启动至满载还是空载？ 这会在空载时发生吗…

  • RE: [参考译文] BQ25750：SYS 输出中断（上升至 48V、然后崩溃至~4V）、适配器或电池不充电

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ethan、 我们对进行了测试 反向模式 的稳压器功能 BQ25750 没有 VAC 输入、但我们无法获得任何升压输出。 测试设置 VBAT = 32V   VAC =未连接 禁用充电 位置 EN_CHG = 0 启用中的以下位REG0x19 – Power_Path_and_Reverse_Mode_Control： EN_REV EN_AUTO_REV P…
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  • [参考译文] LMG3522R030-Q1：对具有 UCC28950-Q1 PSFB 控制器的 GaN 提供仿真或损耗分析支持

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950-Q1 , LMG3522R030-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • [参考译文] LM25149：设计电子表格 FET 损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5148 , LM25149 , CSD18540Q5B , LM5149 , LM25149-Q1EVM-2100 , LM5149-Q1EVM-400 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…

  • RE: BQ25723: BQ25723不能给电池包自动充电

    您好，请参考下面内容： TI does not have and likely will never have a single integrated FET charger than provide 8A and 3*4.2V = 12.6V = 100.8W. The losses in FETs will be too high, resulting in the charger IC clamping its output due to thermal regulation. The closest…
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  • [参考译文] BQ25756：采用 GaN FET 芯片(EPC23102ENGRT)和降压/升压控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328310/bq25756-using-gan-fet-chip-epc23102engrt-with-the-buck…
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  • RE: [参考译文] TPS552892-Q1：PFM 模式下的脉冲运行

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Arvin： 以下是我的评论。 1.在 BUCK、BOOST 和 BUCK-BOOST 模式下、开关脉冲的周期操作好像和 PWM 模式一样。 为什么不使用长周期逻辑来使 IL 和 Vout 持续快速增加？ ->占空比仍在控制中,考虑到环路响应时间,影响不应有太大差异。 2.在 PFM 模式下,切换 时间约为3个周期。 该电 压是固定的还是由 Vout 决定的？…

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