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找到 1,084 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • RE: TLV320AIC3101: page1的寄存器无法写入正确的值

    Amy Luo
    Amy Luo
    已解决
    我找到了一个TIBQ文档: 1273.TIBQ.pdf
    • 3 年多前
    • 音频
    • 音频论坛
  • Answered
  • [参考译文] UC2879:功率损耗计算

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1115171/uc2879-power-loss-calculation 器件型号: UC2879 大家好、 我想计算该器件的结温、要计算结温、我需要找出功率损耗。 我知道、要找到实际功率损耗…
    • 已回答
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: 选型:支持100%占空比的最高电压为24V的8A降压方案

    Taylor
    Taylor
    您好, LM5176,LM5177等都可以实现您的需求。 下面是完整的一套方案,请参考: WBDesign149.pdf
    • 1 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] TIDA-00120:48V 系统所需的设计更改

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 即使使用100V FET、接近90V 的输入也会非常高。 请记住、存在可能损坏 FET 和相关电路的固有过冲。 如果探测开关节点、则应能够测量这些过冲。 在此处查看有关测量和缓解过冲的正确方法的文档: e2echina.ti.com/.../8244.Ringing-Reduction-Techniques-for-NexFET-high-performance-mosfets…
    • 6 年多前
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)
    • 仿真、硬件和系统设计工具(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM3401:相同的设计和材料明细表在3年的空白后无法正常工作

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我在做了大量的倾斜之后回来、但仍然有点困惑。 首先、我看到有一个计算器可用、但我无法找到如何获取: LM3401DESIGN-CALC: LM3401组件计算器 我已附上计算的 xlsx。 10K 和7.83K 的计算接近、但3.48K 将不起作用。 缺少的是、为什么 FET/电感器无法使用非常小的 HYS 进行调节? 是否有一个可与 FET 延迟和电感器一起使用的公式可计算最小…
    • 6 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5117:与 UCC29002实现遥感和负载共享

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 建议使用 LM5116快速入门计算器。 如果您不打算使用外部 VCC 偏置电源、需要注意 FET 中的损耗以及 VCC 稳压器的电流能力? 请参阅以下链接至 QS calc。 www.ti.com/.../lm5116-5116wg-25116design-calc
    • 8 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5155:CISS/CRSS/ VDS、关闭

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tadahiko-San、 感谢您的查询。 我没有处理您之前的帖子中引用的计算器。 如您所见、有许多方法可以估算 MOSFET 开关时间。 在下面的链接中、您将找到一个基于 Excel 的非同步升压 FET 功率损耗估算工具。 在"equations"选项卡中、有详细的公式显示了如何计算开通和关断时间以及相关的开关损耗。 我认为这是类似但更详细的计算。 请注意、FET 数据表中指定的开关时间在很大程度上取决于驱动器电路…
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] TINA/Spice/CSD88537ND:CSD88537ND 高侧放大器;低侧近似功率耗散

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Siddharth、 对于 BLDC 应用、FET 的功率损耗主要来自导通损耗、因为开关频率通常较低(~20kHz)。 使用在半桥中配置的 FET、您可以假设一个 FET 始终处于开启状态(除了较短的死区时间)。 因此、两个 FET 的总导通损耗为 IRMS x IRMS x RDS (on)。 对于 RDS (on)、您需要考虑器件的 VGS 栅极驱动电压和温度、因为两者都会影响电阻…
    • 6 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • [参考译文] TPS22919:集成负载开关和分立式 FET 浪涌电流控制损耗比较

    admin
    admin
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS22919 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818516/tps22919-integrated-load-switch-and-discrete-fet-inrush…
    • 已回答
    • 6 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM25085:Webench 中的设计不正确

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 安德拉斯、您好! 请使用 LM25085快速入门计算器来验证您的设计: https://www.ti.com/tool/LM25085-5085QUICK-CALC 。 设计是否根据输出电容 ESR 产生的纹波稳定运行? 我看到 FB 分压器设置为13.5V 输出(基于1.25V FB 电压)。 10mΩ、电流限值被设定为2.92A 峰值(= 40uA*μ 732Ω μ V/μ…
    • 4 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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