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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：控制模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 北IDA 是的、这不是问题。 由于 TPS1211-Q1可控制外部 FET、因此这里唯一需要关注的是确保开启/关闭不会违反外部 FET 的 SOA 或可靠性。 我们提供了 SOA 计算器、您可以在下面找到该计算器： https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…

  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：电源管理论坛

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146RGYR

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bob： 很抱歉耽误你的时间。 以下是一些评论： 您可能需要使用不同的高侧和低侧 FET (具体取决于输入电压、输出电压以及应在输入电压范围内进行优化的位置)。 将快速入门计算器与 NexFET 选择器工具配合使用： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC。 检查 WEBENCH 也没有坏处。 控制器的…
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  • RE: [参考译文] LM5149：设计问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Muhammad Usman、 请填写该器件的快速入门计算器 ( https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC )、并与我分享原理图。 此外、如果您计划将 12V 至 32V 降压至 5V 并具有 5A 的输出电流、 我建议您使用具有集成式 FET 的器件 — 与使用外部 FET 的设计相比、该器件的实现成本更低且更简单…
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  • RE: [参考译文] LM5122：随着转换器从 DCM 转换到 CCM、8相转换器开始折返输出电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jacob： 在负载电容为4700 pF 时、LM5122的上升和下降时间是指定的。 因此、根据 HO、LO 输出后面电路的输入电容、上升和下降时间会有所不同。 您可以在电路中检查 HO 和 LO 在您的图腾柱电路输入上的切换速度有多快。 由于电容应该非常低、因此应该可以观察到 LO 输出的最快上升和下降时间。 顺便说一下、我一般不喜欢这个图腾柱电路、因为它会导致跨导…

  • RE: [参考译文] LM5156-Q1：SEPIC 转换器 — MOSFET 过热

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wagner、 我很高兴听到您找到了解决方案！ 我仍然认为很奇怪、由于存在 MOSFET 参数、两个 FET 都应该工作。 此外、IC 的驱动器足够强大、能够正确驱动两个 FET。 关于 FET 中的损耗、请使用功率级设计人员查看损耗在不同条件下 的分布方式 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER — 首先选择您使用的拓扑并插入电路规格，然后选择…

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