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  • RE: [参考译文] BQ25751：如何在系统电源关闭时设计 BATFET 驱动电路、以及如何在仅在降压模式下充电时设计降压/升压充电 FET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sun、 Unknown 说： 您能否提供一个解释或者它在数据表的说明？ 器件中有一个开关。 Unknown 说： 您能告诉我为什么需要两个 MOS 吗？ 这与电感器 DCR 检测有关、基本上器件必须知道它配置为仅降压充电器、我们无法告知充电器它是仅降压模式。 如果移除 FET、器件将无法正确确定电感器 DCR、这可能导致环路不稳定。 Unknown 说： 并且从 EVM…
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  • RE: LM5122-Q1: LM5122Q1原理图评审

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    您好， 感谢您使用 e2e 论坛。 关于多相连接： -请将所有四相的 SS 引脚连接在一起,以避免不平衡的启动 - RES 引脚也是如此 -对于所有四个相位、SYNCOUT3 以菊花链方式连接到 SYNCIN、这不是建议的实现方式。 请查看主控制器和辅助控制器的设置： 如果 VCC 和 OPT 都连接到 VCC、则 SYNCHOUT 被禁用。 客户还需要考虑半频输出、它会根据设置降低输出频率。 -有一些参考设计使用外部时钟发生器来实现所需的频移水平。 https://www.ti.com/tool/PMP…
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  • RE: LM5122: 两相并联使用,高侧MOS管栅极驱动波形问题以及SYNCIN引脚RT电阻如何选择

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    您好 关于如何设计请参考以下帖子说明： https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1379152/lm5122-q1-dual-phase-design?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LM5122%2520SYNCIN# 关于电阻的用途和参考 https://e2e.ti.com/support/power-management-group…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：LM48000原理图审阅和 FET 损坏问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anderson、您好！ SOA 违例会损坏 FET Q1。 您可以使用该工具帮助来设计启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • [参考译文] CSD19534Q5A：MOS 管上部和下部损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD19532Q5B , SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC , CSD19531Q5A , CSD19533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…

  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：在占空比高于 50%时、LM5122 变得不稳定。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Lee、 感谢您使用 e2e 论坛。 斜率补偿和反馈环路补偿 彼此无关、但对于稳定的系统来说、这两者都是必需的。 斜率补偿可避免次谐波振荡和占空比抖动、而环路补偿会影响一般调节稳定性。 我将使用快速入门计算器工具再次检查 K 系数值和环路补偿。 该工具需要的条目比 webench 工具多、因此结果通常更准确。 https://www.ti.com/tool/download…
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  • RE: [参考译文] LM5169：COT 原理和计算配套资料(DCAP)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sienna、 请参阅要用于设计的计算器电子表格。 LM5169-LM5169-FET BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com 希望这对您有所帮助。 David。
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • RE: [参考译文] TPS6755：采用反相直流/直流转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kazuhiko、 该计算器可在以下位置找到： LM5122-BOOST-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 对于必要的更改、请在计算器中填写输入电压的微小变化、并使用60V 作为输出电压。 那么您应该可以获得适合功率级和补偿的元件。 然后、我建议订购 EVM、在 FB 节点上添加额外的电路、并在实验室中进行检查。 此致、 Brigitte
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…

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