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  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…
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  • RE: [参考译文] LM5122EVM-1PH：LM5122输出56V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Luong、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该能够完全支持此170W 应用、我目前能给出最佳建议。 请使用我们的快速入门计算工具或检查我们库中的一些参考设计。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC https://www.ti.com/reference-designs/index.html#search…

  • RE: [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：28V DC 到120V DC 转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您与我们联系。 很抱歉给您带来不便。 我们将继续提高 Webench 的覆盖率、但这需要时间。 暂时、请参阅以下链接中的设计计算器以帮助您设计 PSR 反激式器件、包括转换器(集成 FET)或控制器(外部 FET)。 您可以根据功率级别选择合适的器件。 https://www.ti.com/tool/LM5180DESIGN-CALC https…
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  • RE: [参考译文] 建议用于 AON6276(Alpha & Omega Semiconductor Ltd)的 TI 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 维克托您好， 我想让您了解我们的 BLDC FET 选择工具(链接如下)，该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1ku 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何疑问，请通过 TI.com 电子邮件与我联系。 此致， 约翰·华莱士 TI…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jayanthi ： 请使用 LM5145快速入门计算器帮助选择元件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、LM5145 EVM 是采用80V FET 的5V/20A/225kHz。 但是、如果 Vin-max = 48V、您可能会在此处使用60V FET。 此外、还可以查看 LM5145和 LM5146数据表中的应用示例…

  • RE: [参考译文] LM74502-Q1：如何调节 VGS、这样即使在高温下也能调节浪涌电流？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Deepak、您好！ 您可以更改 Rg = 100欧姆、而不是1k。 1k 时、FET 关断时间会更长。 您可以使用该工具来帮助设计启动电路。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 可以使用1.75mF。 220uF 只是一个示例、具体取决于系统要求。 只要外部 FET 可以支持、就可以使用任何 COUT 值。 此致、 Shiven…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：即使存在500mA 电流负载、HGATE MOSFET 也会损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lesheng： 具有500mA +浪涌电流的48V 直流可能超出 MOSFET SOA 的范围。 您可以使用此工具来查看是否有足够的裕量用于带载启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: LM5146: MOS管驱动信号存在振铃

    SYNCIN在此处处于断路状态，因此在内部下拉，这意味着二极管仿真模式已启用。 这将给出您为轻负载操作测量的波形，其中LO在电感器电流接近零时关闭(振铃是两个FET均关闭时与开关节点电容共振的电感器)。 将SYNCIN与VCC绑定以使用固定FSW在FPWM中设置控制器。 顺便说一句,ILIM的上限太高了。 请使用快速启动计算器帮助选择组件。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
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  • [参考译文] LM5149-LM25149DESIGN-CALC：功率损耗限制或警报更新计划

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1211964/lm5149-lm25149design-calc-update…

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