搜索提示
找到 373 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • [FAQ] [参考译文] [常见问题解答]如何为数字隔离器生成隔离式电源？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: SN6501 , ISOW7741 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/755545/faq-how-do-you-generate-isolated-power-for-a-digital-isolator 如何为数字隔离器生成隔离式电源…
    • Answered

  • RE: [FAQ] 如何为数字隔离器生成隔离式电源？

    已解决
    有多种方法可为数字隔离器生成隔离式电源，理想解决方案取决于特定的应用需求。 一种方法是使用变压器驱动器，如 TI 的 SN6501 ，该驱动器以推挽配置运行，次级侧带有变压器和可选低压降稳压器 (LDO)（图 1）。 SN6501 能够提供最高 1.5W 的功率来提供隔离式电源。该器件几乎可灵活用于所有应用，因为变压器和匝数比可为电源提供必要的隔离额定值和输出电压。如果需要为其他器件提供隔离式电源，可以使用 SN6505 代替 SN6501 以获得最高 5W 的输出功率。SN6505 具有额外的保护特性…
    • Answered

  • [参考译文] AMC1301-Q1：VDD1以3.3V 电压供电、而不是建议的5V 电压

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: AMC1301-Q1 , SN6501 , AMC1301EVM , AMC1301 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/669755/amc1301-q1-vdd1-supplied-with-3-3v-against…
    • Answered

  • [参考译文] SN6505A：CAN SN6505用于从12V？生成5V 电压

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: SN6501 , DCP021205 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/649494/sn6505a-can-sn6505-be-used-to-generate-a-5v-from-12v 器件型号： SN650…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 帮助选择/设计电源开关

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Furro、 尽管我们目前没有专用的高侧驱动器、但我可能会对低侧驱动器+电平转换器+ MOSFET 感兴趣、具体请参阅下面复制的技术手册： 技术手册中的图4使用背靠背 FET、但出于您的目的、可以在所需时间内通过单个开关打开/关闭负载。 另一个 BOM 成本较低的选项是以下具有半桥驱动器的解决方案。 请注意、在这两种情况下、您都需要一个由 SN6501驱动的小型隔离变压器…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TPS55010短变压器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我还想建议您查看 SN6501。 如果这是为重要的保持低噪声的系统敏感模拟部件供电、那么这将是一个更好的选择。 我不是完全熟悉 ECG 应用、但我认为这可能是系统的一部分所关心的问题。 而使用 SN6501所做的权衡是、它是一个开环推挽式电源、根据稳压要求的严格程度、可能需要一个 LDO。 另一方面、TPS55010在变压器初级侧具有稳压功能、因此可能不需要后置稳压、这同样取决于所需的稳压…

  • [参考译文] LM46000-Q1：评估满足生命要求的物料

    Other Parts Discussed in Thread: SN6501-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/957718/lm46000-q1-evaluate-materials-to-meet-life-requir…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5017：具有4个隔离式输出(具有完整通道间隔离)的 Flybuck 设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Arief、 非常感谢您的回答。 好的、让我看看。 我同意4输出变压器和全局电流限制可能是一项挑战。 与4x SN6501相比、可能可以选择2个 FlyBuck。 保持您的发布状态。 此致 Martin
    • Answered

  • [参考译文] LM5105：在 N 沟道 FET 处于大约16VDC 及更高的条件下、不能在连续模式下工作。

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5105 , SN6501 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/744669/lm5105-not-working-in-continuous-mode-with-the…
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC27211A：如果 VBUS=48V、哪种栅极驱动适合驱动高侧和低侧 MOS？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Eggsy、 对于您提到的应用、为 HB 到 HS 偏置电容器充电以及在高侧导通时间内将 HB-HS 偏置保持2分钟会出现问题。 通常、高侧偏置由一个自举二极管从 VDD 到高侧驱动器偏置的供电、即 UCC27211A 上的 HB。 当低侧 MOSFET 导通时、动力总成开关节点和驱动器的 HS 引脚切换至接近于接地。 此时、HB-HS 电容器从 VDD 充电。 当高侧驱动器打开时…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。