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RE: [参考译文] SN65HVD63:SN65HVD62与 SN65HVD63之间有何差异?
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请参阅'63数据表的第5节:
8 个月前
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RE: [参考译文] SN65HVD64:SN65HVD62与 SN65HVD63与 SN65HVD64
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Maynard、 唯一的差异是温度范围、否则这些是相同的器件。 此致、 Eric Hackett
1 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:外部晶体振荡器
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Delmore、 这是一款较旧的器件、我们需要深入研究一下才能找到一些信息。 感谢您的耐心等待。 此致、 Eric Hackett
1 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:有关接收器占空比规格的问题
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dane、 如果您看看 RX 的占空比、数据表上的规格@ 115.2kpbs 略高于 AISG 限制。 但是、在实际应用中、温度、电源和输入电压的变化可能不会像数据表中所述的那样大。 因此、通常测量结果会更好。 另一点是、更重要的是系统设计中的级联占空比。 此致、 Hao
3 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:未使用 SyncOut
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Itoh-San、您好! 是的、如果应用中不需要该引脚、则可以将其保持断开状态。 由于输出级使用开漏结构、并且预计外部上拉电阻会驱动"高"逻辑电平、因此仅当使用引脚向其他器件发送信号时才需要建议的上拉电阻。 此致、 最大
4 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:接收电压
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Raymond、 是的、只要接收器的输入超过其最大输入阈值158mVpp、器件就会正确检测来自调制同轴电缆线路的高/低电平。 此致、 最大
4 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD63:SN65HVD62应用电路晶体
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 是的。 我很抱歉造成混淆。 我的观点是应用手册中的 C LOAD (CL=39pF/2)大于12pF、而不考虑 杂散电容器。 39pF 可用于40pF 负载晶体、具体取决于您可以容忍的 ppm 偏移量。 此致、 Hao
4 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:OOK 信号环路#39;s 衰减
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Marvin、 感谢您指出交流探头。 我现在明白了。 是的、阻抗匹配网络可以替代50Ohm。 R4可被视为驱动器的输出阻抗。 如果电缆短路且反射可忽略不计、您可以尝试驱动到高阻抗(如开路)。 我个人从未这样做过、但它可能适用于您的应用。 此致、 Hao
4 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:关于 XTAL 占空比要求
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Joyce、 对于外部晶振、该器件的额定占空比为45%至55%。 40%至60%仍可正常工作、但未进行特性描述。 如果您有更多问题、请告诉我。 此致、 Hao
4 年多前
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RE: [参考译文] SN65HVD62:SN65HVD62应用电路
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Swetha、 在推荐的微控制器方面、由于该器件支持标准 UART 式串行接口、在 TXIN/RXOUT/DIRSET/等 上灵活地使用逻辑电平、因此该器件应适用于市场上的大多数 MCU。 除了支持的接口外、可能还有其他系统级因素、这些因素对于为给定应用选择 MCU 而言更为重要。 对于偏置 T、虽然我们没有具体的元件建议、但基本结构将涉及到用于射频数据耦合到线路的串联电容…
4 年多前
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