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  • [参考译文] TAS3251：在播放期间进行 Re 初始化后音频输出丢失(EVM 和放大器上存在同样的问题；定制 PCB)

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    Other Parts Discussed in Thread: TAS3251 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1492639/tas3251-audio-output-lost-after-re-initialization-during-playback-same-issue-on-evm…
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  • RE: [参考译文] OPA140：是否有人可以建议使用类似于 OPA140且采用 DIP8封装的运算放大器？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Steven、 如您所知、PDIP 是一个传统的封装组。 我们的大多数现代版本都采用 SOIC、SOT23、VSSOP 和其他小型封装。 我们有6个精密放大器、它们是轨到轨放大器、可在 PDIP 中获取： http://www.ti.com/amplifier-circuit/op-amps/products.html#p480=1;1&~p78=In;Out&p2max…
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  • RE: [参考译文] TAS5132：THD+N 与规格不匹配

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们需要在图1第11页的规格栏190中查看 THD+N 与输出功率间的关系。 根据规范 sllu097第3.5节"工作序列和指示器流程"设置 TAS5086后的测试结果如下所示： 该图由 AP 测量、EVM 的 PVDD 设置为电源提供的18V。 因为它与一开始完全不同。 (假设开头应小于0.01%) EVM 连接到8 Ω 负载。 使用…
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  • [参考译文] LM5175EVM-HP：我们需要此 EVM 能够支持5V 电压

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5175EVM-HP , LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1227695/lm5175evm-hp-we-need-this-evm-can-support…
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  • [参考译文] INA1620EVM：是否适合在 TPA3126D2EVM 功率级之前用作音量稳压器前置放大器？

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    Other Parts Discussed in Thread: TPA3126D2EVM , PCM2903EVM-U , INA1620EVM , INA1620 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1349945/ina1620evm-is-it-suitable-as…

  • RE: [参考译文] TAS2563：PPC3压降问题和输出功率问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jean： 您似乎正在使用扬声器的默认特性。 您将需要分析扬声器的特征、以使智能放大器算法发挥全部性能。 我相信这 就是放大器功耗较低的原因。 您将需要使用学习板2通过 TAS2563 https://www.ti.com/tool/PP-SALB2-EVM 来确定扬声器的特征 如果您要在不受扬声器保护影响的情况下评估器件的模拟性能、您可以在器件控制面板中将该器件置于"ROM…

  • RE: [参考译文] OPA856：传播延迟

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 因此、理想情况下、运算放大器的传播延迟(请勿将其用作比较器)可从线性标度的相位图中导出-但确实取决于所用增益和负载的小信号响应形状、这对您的客户有何帮助。 如果正确完成、数据表图通常会在测量中包含 EVM 板的传播延迟。 通常、模型更多地来自硅的设计侧-通常忽略封装延迟-我在过去几年中为 SOT23-5封装增加了大约0.4nsec 的延迟。
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  • RE: [参考译文] LMG1210EVM-012：关于 EVM 加热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Walter、 下图显示了客户确认的死区时间。 死区时间似乎已经足够、但在输入电压为 12V 且输入电流为 0.378A 的条件下、输出电压为 5.72V、输出电流为 0.280A、因此效率为 35.3%。 AMP 温度为 70.3°C、FET 温度为 83.6°C、热生成状态未变化。 我有几个问题： 我认为将 10MHz 与该 EVM 板一起使用时、效率会非常低…
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  • [参考译文] TAS5805MEVM：TAS5805热设置

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    Other Parts Discussed in Thread: TAS5805M 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1304552/tas5805mevm-tas5805-thermal-setting 器件型号： TAS5805MEVM 主题中讨论的其他器件： TAS5805M 、 TAS5805 您好…

  • [参考译文] ISO224：ISO224B 输出稳定性

    Other Parts Discussed in Thread: LMH6612 , ISO224 , TLV9061 , LM6132 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1168946/iso224-iso224b-output-stability 器件型号： ISO224 …

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