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找到 482 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: [参考译文] TAS5806MEVM：TAS5806MEVM

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 您是否有可与 EVM 板连接的主板。 如果您没有 MB、您可以按如下方式进行连接： 按如下方式进行连接后、您需要 PPC3生成初始代码、并使用 i2c 将初始代码刷写到 Amp。 放大器将在初始化后工作。 谢谢。 Jesse
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  • RE: [参考译文] LMG1210EVM-012：关于 EVM 加热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Walter、 下图显示了客户确认的死区时间。 死区时间似乎已经足够、但在输入电压为 12V 且输入电流为 0.378A 的条件下、输出电压为 5.72V、输出电流为 0.280A、因此效率为 35.3%。 AMP 温度为 70.3°C、FET 温度为 83.6°C、热生成状态未变化。 我有几个问题： 我认为将 10MHz 与该 EVM 板一起使用时、效率会非常低…
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  • RE: [参考译文] LMR62014：热阻与放大器；计算得出的功率与 TIWebench 间的关系

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您联系 E2E。 数据表中的 RTH.ja 后面跟随 JEDEC 条件、这是 比 PCB 条件更重要的条件。 通常、 数据表中的 Rth.ja 用于比较 不同封装的热性能。 如果想估算实际电路板的温升、使用的 Rth.ja 值要小得多。 例如、下面是另一个新的 RTM 升压转换器的数据。 您可以发现 EVM 中的 Rth.ja 更小。 由于 LMR62014是相对较旧的芯片…
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  • RE: [参考译文] BQ4050：化学保险丝更换。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 FET 选择取决于您的系统(例如 电流)。 它们必须与 bq4050中的驱动器规格兼容(请见 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq4050.pdf 、6.18)。 EVM 上提供了示例( http://www.ti.com/lit/ug/sluubf9/sluubf9.pdf ) Q1 FDN358P MOSFET、PCH、-30V、-1.5A、125…
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  • [参考译文] LM2735：为什么lm2735 SW波振荡

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1090017/lm2735-why-lm2735-sw-wave-shaking 部件号： LM2735 大家好， 当我测试LM2735Y 5引脚SOT23演示板( https://www.ti.com…

  • RE: ADS1285EVM-PDK: OPA369与OPA391

    您好，您的意思是想使用OPA391替代EVM中的OPA369是吗？ OPA369和OPA391相比，首先低功耗，其次就是它具有零交越失真特性（随着输入共模电压的改变使得内部PMOS和NMOS切换过程中产生的阶跃特性）。 相同点，二者都是轨至轨输入的运放（因为通常DAC和buffer使用同一电源供电，所以单电源供电的条件下，需要轨至轨输入）。 EVM板使用OPA369我想主要是因为它的零交越失真特性，因为运放在DAC后做buffer的时候， 一旦运放发生了交越失真，会使DAC的INL性能下降。 所以如果您不使用…

  • OPA858DSGEVM: My OPA858DSGEVM does not work :-(

    Part Number: OPA858DSGEVM Other Parts Discussed in Thread: OPA858 Dear Engineer, I wo uld like to consult you regarding an issue. I previously purchased an OPA858DSGEVM evaluation module. At first, when I applied a signal to the inverting input, the circuit…
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  • RE: [参考译文] LMP91000EVM：如何选择 FET 以缩短 RE 和 We

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Liu - 在此 PCB 上、Q1 (P 通道 FET)采用 SOT-23-3封装、用作开关、栅极被 R12拉高、两者均未组装。 (您指向 LMP91000 EVM 用户指南的同一用户指南的第6页 ) 首先要考虑的重要参数是封装、即 SOT23-3、因为这是 PCB 上的封装尺寸。 第2页的表2中的器件是30V 1/4W P 通道 JFET、当它们用作开关时、具有这些特性且库存中的任何通用器件就足够了…
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  • RE: TAS2560 驱动16Ohm 喇叭实现smart amp

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    TAS2555， TAS5766M，TAS5768M 都可以实现smart amp，但是最大负载基本上在8ohm。 我们有demo用来评估speaker 特性和实现smart amp： www.ti.com/.../PP-SALB-EVM
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  • RE: [参考译文] DRV5032-SOLAR-EVM：如何测试 DRV5033的评估板

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Priya、 感谢您使用 TI 论坛。 如果您想评估 DRV5033 (或采用 SOT23-3或 TO-92封装的任何其他霍尔器件)、可以使用 HALL-ADAPTER-EVM、该 EVM 可在 http://www.ti.com/tool/hall-adapter-evm 上找到

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