搜索 - E2E™ 设计支持

搜索提示

找到 1,384 个结果查看问题帖子排序依据

RE: [参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

admin

已解决
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。你好，Biswajit，感谢您关注 TI FET。在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为： ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
- 10 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

RE: [参考译文] LM64460-Q1：5V 固定输出型号(CPP)、空载测试、导致 IC 过热和损坏

admin

已解决
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。是的，您对快速入门计算器没有输出轻负载效率信息的说法是正确的。关于开关频率、我从布局和原理图中看到 MODE/SYNC 引脚连接到 GND。这会将 IC 设置为自动模式、从而允许器件在轻负载下降低其开关频率。随着负载降至0A、开关频率将非常低。轻负载时、该器件将像 COT (恒定导通时间)一样运行、只有在分压输出电压降至低于误差放大器的基准电压时、高侧 FET 才会开启…
- 8 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)
RE: LM3478: 12V输入48V/2A输出的问题

Daniel

您好根据您的情况，官方推荐您使用以下工具： https://www.ti.com.cn/tool/FLYBUCK-FLYBACK-DESIGN-CALC 这是官方的电源辅助计算器来帮助您计算相关值。 https://webench.ti.com/power-designer/switching-regulator/customize/26?VinMin=10&VinMax=13&O1V=48&O1I=2&base_pn=LM3478&AppType=None&Flavor=NA&op_TA=30&origin…
- 9 个月前
- 电源管理
- 电源管理论坛
[参考译文] MCT8329A：电机锁定和同步丢失故障有时会通过 I2C 清除#39；t CLEAR

admin

Other Parts Discussed in Thread: MCT8329A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1378879/mct8329a-motor-lock-and-loss-of-sync-faults-sometimes-won-t…
- 7 个月前
- 电机驱动器（参考译文帖）
- 电机驱动器（参考译文帖）(Read Only)
RE: [参考译文] TDA4VH-Q1：est 配置的同步

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好！在以下命令的末尾，有一个命令"sleep 120" EST 配置需要与 CPSW CPTS 时间进行系统时间同步。两次同步可能都需要一段时间。请参阅以下用于时间同步的命令。 #sync system time to CPSW CPTS phc2sys -s clock_freal-c eth0 -m -O 0 >/dev/null &…
- 8 个月前
- 处理器（参考译文帖）
- 处理器（参考译文帖）(Read Only)
RE: [参考译文] TPS923653DYYREVM：TPS923653DYYREVM 更改为降压/升压模式

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Vadim：首先、您应该使用 TPS923654 / TPS923655 在 VSON 封装对于 Vin = 26V、Vout = 26V、降压/升压模式下 Iout = 2A、因为内部开关 FET 逐周期电流限制更高且封装的热性能更好。现在降压-升压配置、其中 LED 负极连接到 Vin。在 11V < Vin < 29V 的电压范围内稳定运行。 …
- 8 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)
RE: [参考译文] LM74900-Q1：用于具有断开功能的12V/417A Oring 控制器的器件。

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。你好、Navin、任何可驱动背对背 FET 的控制器均可实现浪涌保护。因此 LM74800-Q1也可。我想您指的是仅 LM74900-Q1具有过流保护功能。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 您可以使用此工具检查 MOSFET SOA。此致、 S·迪尔
- 8 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

RE: [参考译文] LM74900-Q1：设计审查

admin

已解决
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Shrey：在共享的原理图中、我看到您有两个软启动电路、您使用的是哪一个？您还能填写此 Excel 并与我分享吗？ FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具| TI.com 此致、 S·迪尔
- 8 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

RE: [参考译文] LM5123-Q1：不确定使用 LM5123-Q1或 LM5122的升压控制器

admin

已解决
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。哈利、您好！现在我不明白:谁有一个更短的死区时间? 是 LM5122还是 LM5123-Q1？结果谁具有更好的效率？因为您在之前的消息中写入的 LM5122具有更短的死区时间、并且更合理的做法是、当死区时间小于功率损耗时、效率更高。您声称对方是如此。 bo xia1 说：由于死区时间较短，LM5123的效率将略优于 LM5122 LM5123-Q1是否只能与双 FET…
- 9 个月前
- 电源管理（参考译文帖）
- 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

RE: [参考译文] PMP8740：仿真、硬件与放大器；系统设计工具论坛

admin

已解决
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Mumin：当然,我可以为你需要的任何帮助:-) 关于 SYNC-FET 额定电压、例如、如果您的最小 Vin 为350V (和最大420V)、并且考虑在此电压下的最大占空比为80%、则需要3.5 NP/NS 匝数比。这意味着次级侧(半绕组)在输入电压为350V 时的电压将为100V (因此80Vout /100V = 80%占空比)。在420Vin 时、变压器次级绕组上的电压将为420V…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。

发布新问题