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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…
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  • RE: [参考译文] LM5122：LM5122

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Muhammad、 感谢您使用 e2e 论坛。 是的、LM5122应该是非常适合此应用的器件。 对于250W 应用、我建议使用多相设计。 类似应用有多种参考设计。 请随时浏览我们的参考库以了解此内容： https://www.ti.com/reference-designs/index.html#search?keyword=lm5122 我还建议使用我们的快速入门计算工具来计算外部元件值…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：针对高电流的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv： 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少？ 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求？ TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET？ 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
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  • RE: [参考译文] LM5122EVM-2PH：针对更高功率的 EVM 修改

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Abdul： 感谢您的反馈。 可以增加500kHz 的开关频率。 若要查看对电流纹波和效率的影响、您可以再次使用我在前一条消息中引用的功率级设计器工具。 另一个有用的资源是我们的快速入门计算器工具： https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC MOSFET 应适用于250kHz 和500kHz 开关频率。 限制因素仍是…

  • LM76002: lm76002是否支持负压输出？

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM76002 Other Parts Discussed in Thread: TPS62130 , 在为我的功放选择9V转±12V电源供电方案时，我需要一个buck芯片配置为反相buck-boost拓扑来提供负电压，我注意到了lm76002支持fccm模式和SYNC外部时钟同步，耐压和输出电流也符合我的要求，但是lm76002没有在数据手册中提到可以配置为负压输出，也没有应用手册，比如像tps62130/50那样（这两个的耐压水平不符合我的应用场景）。所以LM76002是否支持负压输出…
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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1：PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗？ 当您处于 FPWM 模式时…
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  • RE: [参考译文] LM5117：无输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 这些 FET 是具有极高栅极电荷和电容的旧技术器件。 当 Vgs = 7.5V 时、Qg 为200nC、因此开关速度非常慢。 此外、当 VOUT 不会过驱 VCC 时、启动期间将超过 VCC 稳压器的电流限制(最小30mA、典型值42mA)。 每个 FET 的 IVCC = Qg*Fsw = 200nC*220kHz = 44mA。 请选择较低的栅极电荷…
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  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…
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  • RE: [参考译文] LM5069：电源保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil： 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel

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