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  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas： 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…

  • RE: [参考译文] LM3488：LM3488的设计问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zhang： 感谢您使用 e2e 论坛。 您能否提供 电感器数据表？ 您能否为该 LM3488设计填写我们的快速入门计算器工具？ https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 根据这些信息、我们可以探究温度大幅升高的可能根本原因。 谢谢、此致、 Niklas

  • RE: TMUXHS221: TMUXHS221

    这个问题似乎与Mux的 回波损耗 有关，不幸的是这是不能真正改变的。 看眼图我的最佳建议是加入TUSB21X redriver (如TUSB211A)，并将其设置为最低的 boost 设置，或查看信号的迹线看哪里可以缩短以减少迹线中的损失量。 The current issue seems to be related to the return loss of the mux, which is something that cannot really be changed unfortunately. Looking…

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • [参考译文] LMG3100R044：对于同步升压转换器、LMG3100R044

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R044 , LMG3100EVM-089 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505347/lmg3100r044-lmg3100r044-for-synchronous…
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  • [参考译文] BQ25756：在降压模式下、如果 HS 升压 FET 由需要刷新的自举电路驱动、HS 升压 FET 会一直导通吗？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1452902/bq25756-in-buck-mode-how-is-the-hs-boost-fet-always…
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  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…
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  • RE: [参考译文] 建议用于 AON6276(Alpha & Omega Semiconductor Ltd)的 TI 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 维克托您好， 我想让您了解我们的 BLDC FET 选择工具(链接如下)，该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1ku 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何疑问，请通过 TI.com 电子邮件与我联系。 此致， 约翰·华莱士 TI…

  • RE: [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：28V DC 到120V DC 转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您与我们联系。 很抱歉给您带来不便。 我们将继续提高 Webench 的覆盖率、但这需要时间。 暂时、请参阅以下链接中的设计计算器以帮助您设计 PSR 反激式器件、包括转换器(集成 FET)或控制器(外部 FET)。 您可以根据功率级别选择合适的器件。 https://www.ti.com/tool/LM5180DESIGN-CALC https…
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  • RE: [参考译文] LM5122EVM-1PH：LM5122输出56V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Luong、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该能够完全支持此170W 应用、我目前能给出最佳建议。 请使用我们的快速入门计算工具或检查我们库中的一些参考设计。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC https://www.ti.com/reference-designs/index.html#search…

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