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  • RE: LM5122-Q1: LM5122Q1原理图评审

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    您好， 感谢您使用 e2e 论坛。 关于多相连接： -请将所有四相的 SS 引脚连接在一起,以避免不平衡的启动 - RES 引脚也是如此 -对于所有四个相位、SYNCOUT3 以菊花链方式连接到 SYNCIN、这不是建议的实现方式。 请查看主控制器和辅助控制器的设置： 如果 VCC 和 OPT 都连接到 VCC、则 SYNCHOUT 被禁用。 客户还需要考虑半频输出、它会根据设置降低输出频率。 -有一些参考设计使用外部时钟发生器来实现所需的频移水平。 https://www.ti.com/tool/PMP…

  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：在占空比高于 50%时、LM5122 变得不稳定。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Lee、 感谢您使用 e2e 论坛。 斜率补偿和反馈环路补偿 彼此无关、但对于稳定的系统来说、这两者都是必需的。 斜率补偿可避免次谐波振荡和占空比抖动、而环路补偿会影响一般调节稳定性。 我将使用快速入门计算器工具再次检查 K 系数值和环路补偿。 该工具需要的条目比 webench 工具多、因此结果通常更准确。 https://www.ti.com/tool/download…
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  • RE: [参考译文] LM5169：COT 原理和计算配套资料(DCAP)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sienna、 请参阅要用于设计的计算器电子表格。 LM5169-LM5169-FET BUCK-FLY-BUCK-DESIGN-CALC 设计工具|德州仪器 TI.com 希望这对您有所帮助。 David。
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  • RE: [参考译文] TPS6755：采用反相直流/直流转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kazuhiko、 该计算器可在以下位置找到： LM5122-BOOST-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 对于必要的更改、请在计算器中填写输入电压的微小变化、并使用60V 作为输出电压。 那么您应该可以获得适合功率级和补偿的元件。 然后、我建议订购 EVM、在 FB 节点上添加额外的电路、并在实验室中进行检查。 此致、 Brigitte
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  • RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：针对高电流的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv： 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少？ 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求？ TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET？ 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…
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  • RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas： 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…
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  • RE: [参考译文] TPSM64406：外部同步频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 使用 SYNC 频率（外部）时、建议对 RT 引脚电阻进行设置、使器件的内部频率接近外部 SYNC 信号。 这样、在同步丢失的情况下、器件仍然能够正常运行。 这两个频率 (SYNC 和 RT) 差别很大、在某些情况下可能会导致电压纹波增加和输出不稳定。 开关频率会影响环路稳定性以及电感电流纹波、进而影响稳定性。 我建议在系统规定的最小和最大开关频率下测试器件。 只要在这两个频率下都满足您的稳定性和应用要求…

  • RE: TMUXHS221: TMUXHS221

    这个问题似乎与Mux的 回波损耗 有关，不幸的是这是不能真正改变的。 看眼图我的最佳建议是加入TUSB21X redriver (如TUSB211A)，并将其设置为最低的 boost 设置，或查看信号的迹线看哪里可以缩短以减少迹线中的损失量。 The current issue seems to be related to the return loss of the mux, which is something that cannot really be changed unfortunately. Looking…

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