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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] LM51770：LM51770 在 23.5V 时折返

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Warren、 在“4. SW1 (CH1)、SW2 (CH2) 和 FB (CH3) 在 26.5V 输入下的范围、输出不稳定“两个开关节点同时处于低电平、这意味着两个低侧 FET 都导通。 当器件由于保护等原因进入待机模式时、就会发生这种情况。 SYNC：当您通过将 ISNSx 连接到 GND 来禁用电流限制功能时、可以将 SYNC 连接到 VCC 或 GND、但如果您要启用输出电流限制并且…
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  • RE: [参考译文] LM5122：开关频率和波形问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Felix、 感谢您使用 e2e 论坛。 此行为看起来像次谐波振荡。 （电流反馈环路的不稳定） 我建议检查检测电阻和斜率补偿。 我们有一个适用于 LM5122 的快速入门计算器工具。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC 您能否用应用参数填写此 Excel 工具、并特别关注 Rsense（检测电阻）、Rslope…
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  • RE: [参考译文] LM5146：关于我的 webench 设计中的 FET 的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mark： 我不知道为什么 WEBENCH 不选择 FET。 LM5146是一款额定电压为100V 的器件、因此100V FET 应该会很好。 如果您可以填写 LM5146快速入门计算器、我可以检查您的设计并推荐一些 FET。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：控制模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 北IDA 是的、这不是问题。 由于 TPS1211-Q1可控制外部 FET、因此这里唯一需要关注的是确保开启/关闭不会违反外部 FET 的 SOA 或可靠性。 我们提供了 SOA 计算器、您可以在下面找到该计算器： https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：开关频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vinod： 感谢您使用 e2e 论坛。 我没有看到控制器侧的限制、这些限制不允许500kHz 的开关频率。 如果 webench 似乎没有提供所需的设计参数、我建议改用快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC 您还可以查看现有的参考设计、例如以下参考设计： https://www.ti.com…

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…

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