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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jayanthi ： 请使用 LM5145快速入门计算器帮助选择元件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、LM5145 EVM 是采用80V FET 的5V/20A/225kHz。 但是、如果 Vin-max = 48V、您可能会在此处使用60V FET。 此外、还可以查看 LM5145和 LM5146数据表中的应用示例…

  • RE: [参考译文] LM74502-Q1：如何调节 VGS、这样即使在高温下也能调节浪涌电流？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Deepak、您好！ 您可以更改 Rg = 100欧姆、而不是1k。 1k 时、FET 关断时间会更长。 您可以使用该工具来帮助设计启动电路。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 可以使用1.75mF。 220uF 只是一个示例、具体取决于系统要求。 只要外部 FET 可以支持、就可以使用任何 COUT 值。 此致、 Shiven…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：即使存在500mA 电流负载、HGATE MOSFET 也会损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lesheng： 具有500mA +浪涌电流的48V 直流可能超出 MOSFET SOA 的范围。 您可以使用此工具来查看是否有足够的裕量用于带载启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5145：无负载时电感器过热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用快速入门计算器检查组件损耗与负载电流之间的关系。 此外、对于该特定电感器、请使用电感器供应商的损耗估算器。 电感器看起来非常大、DCR 低于必要值(高磁芯体积会增加磁芯损耗)。 也许可以选择具有平衡磁芯和铜损耗的电感器。 就 FET 而言、与并联3 x 3mm 器件相比、使用5 x 6mm 封装更好。 我认为您绝对需要降低 Fsw 以实现合理的轻负载效率性能。 在48V/1MHz…

  • RE: LM5146: MOS管驱动信号存在振铃

    SYNCIN在此处处于断路状态，因此在内部下拉，这意味着二极管仿真模式已启用。 这将给出您为轻负载操作测量的波形，其中LO在电感器电流接近零时关闭(振铃是两个FET均关闭时与开关节点电容共振的电感器)。 将SYNCIN与VCC绑定以使用固定FSW在FPWM中设置控制器。 顺便说一句,ILIM的上限太高了。 请使用快速启动计算器帮助选择组件。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
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  • [参考译文] TPS61178：建议使用更高 Vmax、升压甚至降压/升压 IC 的替代器件

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS61376 , TPS61178 , TPS552892 , TPS61377 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1514580/tps61178-suggestion…
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  • [参考译文] LM5149-LM25149DESIGN-CALC：功率损耗限制或警报更新计划

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1211964/lm5149-lm25149design-calc-update…
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D：设计可行性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Frank1、 感谢您的查询。 CSD86360Q5D 是一款高性能25V 电源块、可能会对客户的应用造成严重影响。 我们有一款用于同步降压的基于 Excel 的 TI FET 选择工具、可让您输入您的要求、并比较多达3种不同的 TI 分立式或电源块 FET 解决方案、以了解功率损耗、封装和成本。 我已插入您的要求以及控制 IC 中栅极驱动器的一些参数。 对于5x6mm…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: LM5148-Q1: 带负载出现VDDA，VCC，CBOOT，HO，LO引脚对地短路

    我们将不得不进一步调试它。请帮我做以下事情： 您说 4.没有进行过你图上的这种测试，我是在电子负载端，做了动态负载测试，A=0A，B=9A ,输出负载在A和B之间以10A/us的斜率进切换，频率从3Hz-1KHz,均没有出现问题 1.您有进行过此测试的波形吗？ 2.你看到FET或IC有任何损坏吗？还是其他被动因素？ 3.您能填写此设计的快速启动计算器吗： https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 4.您是否更换了电路板上的IC，以检查设计是否重新开始工作…

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