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  • RE: [参考译文] CSD19533Q5A：关于在高电流下并联使用 MOS 管

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、盛阳： 感谢您关注 TI FET。 TI 有一个负载开关 FET 选择工具(下面的链接)、可用于确定需要多少个并联 FET 来承载200A 连续电流。 此时、该工具无法并联 FET、但您可以将电流除以 FET 数量、以估算每个 FET 的功率损耗。 对于此应用、除非瞬态电压超过40V、否则您将至少需要一个40V FET。 通常、对于相同的芯片尺寸/封装尺寸、电压较低的 FET…

  • RE: [参考译文] LM5122：原理图和布局审查

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Joao、 感谢您使用 e2e 论坛。 很遗憾、我无法打开 kicad_pcb 文件。 但是、根据您所附的图片、我已经对布局进行了概述。 以下是我的评论: 原理图： -不使用输入电容器。 强烈建议您执行此操作以实现稳定的输入电压 -要仔细检查补偿是否已经优化,我建议使用我们的快速入门计算器: https://www.ti.com/tool/download/LM5122…

  • [参考译文] BOOST-DRV8711：BOOST-DRV8711电路板存在问题

    Other Parts Discussed in Thread: BOOST-DRV8711 , DRV8711 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1380374/boost-drv8711-issue-with-boost-drv8711-board …
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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC
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  • RE: [参考译文] LM3488：如何在 Orcad 上正确导入和使用 LM3488 PSpice 模型并仿真定制原理图？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dominykas： 您能给我另外一些设计规格吗： 输入电压：4.2V 输出电压：？？ 最大负载：？？ 根据所选的反馈分压器、目标输出电压将低于输入电压、因此该器件绝不会变为活动状态。 我们还提供了 LM3488的快速入门计算器设计工具、它有助于计算补偿、反馈分频器等 https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST…

  • RE: [参考译文] LM3481：升压转换器突然开始发出哔哔声、输出电压会在电流较高时下降

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Tobias： 感谢您使用 e2e 论坛。 您随附的前两张图片不是在我这边加载的(我认为这些应该是原理图)、您能否重新附加这些图片？ 波形显示正确、因此我能看到这些。 我们有一个 LM3481快速入门计算工具。 是否也可以填写并附上该计算器？ https://www.ti.com/tool/download/LM3481-BOOST-CALC 基于此、我将更容易审查设计…

  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：用于预充电的 TPS1211-Q1

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scarlett, 与后端团队讨论时、有几种不同的方法可以解决这一问题。 第一种方法(也是最常见的方法)是仅在预充电路径上使用 FET、具有可处理额外浪涌的更高 SOA)。 这里的计算器 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 是一款用于验证所有参数的优质工具。 您还可以在 Q3之前放置一个串联电阻、这有助于限制浪涌阶段的电流…
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：关于功耗计算

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好简森， 感谢您的咨询。 下面的链接提供了用于三相 BLDC 电机应用的 TI FET 选择工具。 该工具允许用户输入他们的要求，并根据功率损耗，封装和1k 价格，比较多达3种不同的 TI 离散和电源块(包括 CSD88599Q5DC) FET 解决方案。 如果遇到任何问题，请尝试通过定期电子邮件与我联系。 https://www.ti.com/power-management…
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  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…

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