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• RE: [参考译文] LM5185EVM-SIO：更改输出

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Valery、 EVM 专为 16V 1A 输出而设计、一些更改可以实现 24V 0.5A 的设计要求。 需要考虑的主要元件参数是变压器、RFB、RCS 和 COMP 网络。 我认为 EVM 上的初级侧 FET、次级反激式二极管和齐纳钳位应该适合您的用例。 Rset 值固定为 10K、您还可以检查输入和输出电容器。 您可以使用设计计算器来满足您的设计要求、链接： LM5185…

  • 4 个月前
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• [参考译文] DRV7308：开关损耗计算和 Ciss 参数

  

  admin

  Other Parts Discussed in Thread: DRV7308 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1630926/drv7308-switch-loss-calculation-and-ciss-parameter 器件型号： DRV…

  • 5 个月前
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• RE: [参考译文] BQ25751：如何在系统电源关闭时设计 BATFET 驱动电路、以及如何在仅在降压模式下充电时设计降压/升压充电 FET。

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sun、 Unknown 说： 您能否提供一个解释或者它在数据表的说明？ 器件中有一个开关。 Unknown 说： 您能告诉我为什么需要两个 MOS 吗？ 这与电感器 DCR 检测有关、基本上器件必须知道它配置为仅降压充电器、我们无法告知充电器它是仅降压模式。 如果移除 FET、器件将无法正确确定电感器 DCR、这可能导致环路不稳定。 Unknown 说： 并且从 EVM…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM74930-Q1：电源管理论坛

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] CSD17577Q3A：有关 ID 限制的问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Austin： 您可以通过以下链接下载负载开关 FET 选择工具。 您将需要输入条件、然后单击大蓝色单击此处按钮以开始 FET 选择。 然后、您可以按价格、功率损耗或封装进行分类、从而获取多达3种不同的 TI 解决方案。 I 输入：N 通道、低侧开关、Vin = 12V、VG = 10V、ILOAD = 19A、TJ = 75°C。 在这些条件下、CSD17577Q3A…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] P 通道 MOSFET

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suhas： 单个 FET 将无法处理100A 电流、因为功率损耗会超过20W。 您需要并联2或3个器件才能处理100A 电流。 我们在下面的链接中提供了负载开关 FET 选择工具。 您可以使用此值来估算 FET 中的导通损耗。 它不允许并联、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可。 当两个 FET 并联时、估计每个 FET 的传导损耗为~5W。 三个并联时、每个…

  • 3 年多前
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• RE: LM5122: 两相并联使用,高侧MOS管栅极驱动波形问题以及SYNCIN引脚RT电阻如何选择

  

  Daniel

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  您好 关于如何设计请参考以下帖子说明： https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1379152/lm5122-q1-dual-phase-design?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=LM5122%2520SYNCIN# 关于电阻的用途和参考 https://e2e.ti.com/support/power-management-group…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM5156-Q1：SEPIC 转换器 — MOSFET 过热

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wagner、 我很高兴听到您找到了解决方案！ 我仍然认为很奇怪、由于存在 MOSFET 参数、两个 FET 都应该工作。 此外、IC 的驱动器足够强大、能够正确驱动两个 FET。 关于 FET 中的损耗、请使用功率级设计人员查看损耗在不同条件下 的分布方式 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER — 首先选择您使用的拓扑并插入电路规格，然后选择…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM7480-Q1：LM48000原理图审阅和 FET 损坏问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anderson、您好！ SOA 违例会损坏 FET Q1。 您可以使用该工具帮助来设计启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM5149：设计问题

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Muhammad Usman、 请填写该器件的快速入门计算器 ( https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC )、并与我分享原理图。 此外、如果您计划将 12V 至 32V 降压至 5V 并具有 5A 的输出电流、 我建议您使用具有集成式 FET 的器件 — 与使用外部 FET 的设计相比、该器件的实现成本更低且更简单…

  • 1 年多前
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