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  • [参考译文] BQ25756：在降压模式下、如果 HS 升压 FET 由需要刷新的自举电路驱动、HS 升压 FET 会一直导通吗？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1452902/bq25756-in-buck-mode-how-is-the-hs-boost-fet-always…

  • RE: [参考译文] DRV8711：有关 TIDA-01227 与 BOOST-DRV8711 中的栅极驱动器使用的说明（使用 DRV8711）

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Upendra： 感谢您与我们联系。 什么是 主要差异 之间的差异 BOOST-DRV8711 和 TIDA-01227 从栅极驱动架构和电压的角度来看、您的设计是什么？[/报价] TIDA-01227 旨在演示如何使用 DRV8711 步进电机控制器在高于 60V 的电压下控制步进电机。DRV8711 在 12V 的电压下工作、同时使用附加电路转换为高压控制信号…
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  • [参考译文] LMG3100R044：对于同步升压转换器、LMG3100R044

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R044 , LMG3100EVM-089 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505347/lmg3100r044-lmg3100r044-for-synchronous…
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  • RE: [参考译文] LM5145：无负载时电感器过热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 使用快速入门计算器检查组件损耗与负载电流之间的关系。 此外、对于该特定电感器、请使用电感器供应商的损耗估算器。 电感器看起来非常大、DCR 低于必要值(高磁芯体积会增加磁芯损耗)。 也许可以选择具有平衡磁芯和铜损耗的电感器。 就 FET 而言、与并联3 x 3mm 器件相比、使用5 x 6mm 封装更好。 我认为您绝对需要降低 Fsw 以实现合理的轻负载效率性能。 在48V/1MHz…
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：查看原理图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jimmy： 原理图看起来很棒！ 请参阅以下建议： -到现在为止 CBST 太小了。 请使用最大总栅极电荷（最坏情况）进行计算（所有 FET +预充电 FET）。 足够大的 BST 电容器大小对于正常运行至关重要。 -建议将 48V 网络放置在 TVS 二极管之前、以实现瞬态保护。 -根据输出电容、请考虑在 FET 的栅极上添加额外的压摆率控制。 如果您选择在栅极上添加额外的电容…
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  • RE: [参考译文] LM5143A-Q1：如何查找 QOSS 和 EOSS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Darshan： Qoss 是给定电压下 Coss 与 Vds 曲线下的面积、FET 供应商有时会在数据表中给出。 通常不会为 Si FET 提供 Eoss (更多用于 GaN)、因此您可能需要咨询 FET 供应商。 在任何情况下、您都可使用 LM5143快速入门计算器来协助计算损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CA…

  • RE: [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：28V DC 到120V DC 转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您与我们联系。 很抱歉给您带来不便。 我们将继续提高 Webench 的覆盖率、但这需要时间。 暂时、请参阅以下链接中的设计计算器以帮助您设计 PSR 反激式器件、包括转换器(集成 FET)或控制器(外部 FET)。 您可以根据功率级别选择合适的器件。 https://www.ti.com/tool/LM5180DESIGN-CALC https…
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  • RE: [参考译文] CSD86360Q5D：设计可行性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Frank1、 感谢您的查询。 CSD86360Q5D 是一款高性能25V 电源块、可能会对客户的应用造成严重影响。 我们有一款用于同步降压的基于 Excel 的 TI FET 选择工具、可让您输入您的要求、并比较多达3种不同的 TI 分立式或电源块 FET 解决方案、以了解功率损耗、封装和成本。 我已插入您的要求以及控制 IC 中栅极驱动器的一些参数。 对于5x6mm…
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  • RE: [参考译文] LM5122EVM-1PH：LM5122输出56V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Luong、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该能够完全支持此170W 应用、我目前能给出最佳建议。 请使用我们的快速入门计算工具或检查我们库中的一些参考设计。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC https://www.ti.com/reference-designs/index.html#search…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jayanthi ： 请使用 LM5145快速入门计算器帮助选择元件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、LM5145 EVM 是采用80V FET 的5V/20A/225kHz。 但是、如果 Vin-max = 48V、您可能会在此处使用60V FET。 此外、还可以查看 LM5145和 LM5146数据表中的应用示例…

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