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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
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  • RE: [参考译文] CSD16301Q2：CSD16301Q2能否支持此激光器，其工作电压仅为1.2V？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Wu Shi， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD16301Q2适用于您的应用，但根据激光二极管的规格，它可能会因电流而过载，最大120mA。 您是否将 FET 用作低侧负载开关，且电源接地？ 或者，它是一个高侧负载开关，源是浮动的？ 低侧开关更易于驱动，因为需要将安全门高推以打开 FET。 对于高压侧，必须将安全门驱动在高于电源(排放)电压的位置才能打开 FET…

  • [参考译文] AM6442：启用开关模式时 PTP 同步丢失

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1428202/am6442-ptp-sync-loss-when-switch-mode-is-enable 器件型号： AM6442 工具与软件： 各位专家、您好！ 在测试过程中、我们发现在 PRU 上启用开关模式 会导致 PTP…
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  • RE: [参考译文] LM25149：具有外部功率级元件的降压转换器的最大能力- LM25149

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rakesh、 这实际上取决于生成斜坡信号的实际实现、斜坡信号是控制环路的一部分、我们不建议 Rsense 低于约1mR、建议的裕度略高于此值、假设作为一种保守方法、建议1.4mR、1.5mR。 低于 Min 可能会 因噪声而导致噪声问题和不稳定。 然后是热性能、这是另一个主要限制因素。 请随时使用我们的计算器电子表格、您可以输入 FET 参数、并向您显示 FET 中的损耗…
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  • [参考译文] CSD88599Q5DC：电机驱动 FET 损耗计算器电子表格不包含电源块部件

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD88599Q5DC , CSD88584Q5DC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000125/csd88599q5dc-motor-drive-fet-loss…

  • RE: [参考译文] 在低负载下、使用使用辅助绕组和同步整流的 PSR 控制似乎会导致输出电压升高

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rob、 感谢您的答复。 我不是 UCC24612的专家。 当体二极管正向偏置时、它似乎只是导通 FET。 仅 当体二极管为正向偏置时、由栅极驱动器控制的二极管或 FET 才会导通 DCM。 在 DCM 下、当初级侧的 MOSFET 关断时、CP 的 MOSFET 无法在中断期间导通、因为这可能会使反馈电容器放电。 PSR 同步 MOSFET 没有 DCM。 耦合电感的电流可以使用…

  • TMS320F280049C: TIDA00961问题咨询

    TI 认为已经解决
    Part Number: TMS320F280049C // Control Code inline void pfcControlCode(void) { int k=0; // 4x over-sampled current ac_cur_sensed = (float32_t)((AC_CUR_SENSE_FB+AC_CUR_SENSE_2_FB+AC_CUR_SENSE_3_FB +AC_CUR_SENSE_4_FB…

  • RE: [参考译文] LM3488：无法切换。 DR 引脚始终开启。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kenneth： 感谢您使用 e2e 论坛。 我没有直接在原理图中看到任何连接错误。 您可以使用我们的快速入门计算器工具仔细检查补偿和电感器选择： https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 有关故障描述的问题： 如果 Vout 跟随 Vin、则表明器件不进行开关、DR 引脚保持为0V、IC 不运行。 您提到了…
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  • RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…
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  • RE: [参考译文] LM5123-Q1：请查看该升压转换器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ 非常感谢您的回复！ bo xia1 说： 我将完全移除 C9并仅将 C8保留在 FET 旁边(可能将 C9移至 J2附近)。 C9已移至 J2附近。 bo xia1 说： 您能否在顶层构建 AGND 岛(如数据表中所示)？ 然后所有 AGND 元件将更直接地连接、而不是通过所有这些过孔连接。 已建立一个 AGND 岛。 我将过孔保留在那里、以确保与其他 AGND…

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