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  • RE: [参考译文] TPS923652：TPS923652 (BOOST)短路保护功能

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hi HSU Hung： Unknown 说： 当输出 LED 短路时、停止 FET 开关。 从整个电路来看、这意味着输入是短路的？ 是的、您回答正确。 当在升压配置中 LED 短路时、VIN 实际上通过电感器、肖特基二极管和电流感应电阻器对 GND 短路。 TPS923652只能在这种情况下保护自身、但无法保护其他系统元件。 如果您希望保护其他元件、则应该在系统中设计一些保护机制…

  • RE: LM5146: 情况1：输出接220UF直插铝电解电容后，持续带4.5A（五六分钟）负载MOS管会冒烟损坏，上下管都有损坏情况；情况2：去掉电解电容后，持续带4.5A负载（五六分钟），MOS管没有损坏情况，上管MOS管温度达到76℃，下管也60℃

    LM5145_quickstart_calculator_A5.pdf 电感型号FAUL1365-100MT，电解电容GR227M063G17RR0VL4FP0

  • [参考译文] LM5148：LM5148RGYR 输出损耗与高负载间的关系

    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…

  • [参考译文] LM5122：双相升压或升压旁路

    Other Parts Discussed in Thread: LM5122 , TPS62180 , LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1393273/lm5122-dual-phase-boost-or-boost-…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
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  • RE: [参考译文] LM7481-Q1：在电容器作为负载打开时 MOSFET 烧毁

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Florian： 在启动期间、FET 以线性区域运行、该区域会因 FET 上的电压(Vin-Vout)和流经 FET 的电流(为电容器充电的浪涌电流+负载电流)而产生功率损耗。 我们需要确保所选的 FET 可以处理启动期间的功率损耗。 确保 FET 安全启动的方法有几种、 仅在 Vout 上升到接近 Vin 后开启负载。 这样我们就可以确保在启动期间流经 FET 的唯一电流仅为浪涌电流…
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  • RE: [参考译文] TPS23753A：适用于变压器的24V 和3.3V 多输出设计

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fomi： 感谢您的耐心。 以下次级侧 FET (Q2)的 Vgs 不具有~30V 直流 Vgs 偏置、因为当 Q2导通或体二极管导通时、其源极将接近24V。 以次级侧接地为基准、当 Q2导通时、Vgs = VG - Vs = 29V - 24V = 5V。 SYNC FET 通常用于高电流应用、您可以将 Q2替换为额定电压为100V 的肖特基二极管。 此外…
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  • [参考译文] BQ25756：仅升压模式的充电器芯片选择

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ25820 , BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1566102/bq25756-charger-chip-selection-for-boost-only…

  • [参考译文] BQ25820：BQ25820是否可以将充电电流升压到超过20A？

    Other Parts Discussed in Thread: BQ25820 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1520737/bq25820-bq25820-boosting-the-charge-current-beyond…

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