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  • RE: [参考译文] DAC8775EVM：如果我意外地反向连接 DVDD、会发生什么情况

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Joseph： 我已设法获得 10V 输出！ 在浏览完您提到的所有要点后、我尝试将/SYNC 更改回软件、并在写完之后每行进行切换。 结果表明、每次写入 DAC 后切换 CS 所需的一切时间。 感谢您提供的所有提示和建议。 下面随附了我的 10V 输出的工作代码、以供将来参考。 CS_DIS(); HAL_GPIO_WritePin(GPIOC, DAC_RESET_Pin…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • RE: [参考译文] LM25149：具有外部功率级元件的降压转换器的最大能力- LM25149

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Rakesh、 这实际上取决于生成斜坡信号的实际实现、斜坡信号是控制环路的一部分、我们不建议 Rsense 低于约1mR、建议的裕度略高于此值、假设作为一种保守方法、建议1.4mR、1.5mR。 低于 Min 可能会 因噪声而导致噪声问题和不稳定。 然后是热性能、这是另一个主要限制因素。 请随时使用我们的计算器电子表格、您可以输入 FET 参数、并向您显示 FET 中的损耗…
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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
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  • RE: [参考译文] LM5122：12-24@20A 和12-48@10A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 JT、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122应该非常适合此应用、因为它符合规范并且支持多相。 下面是一个600W 四相参考设计、可能会解答您的一些问题： https://www.ti.com/tool/PMP11112 由于您的两种设计规格(24V@ 20A 和48V@ 10A)具有相同的输出功率、因此我会对这两种应用使用相同的相位数量。 要检查的重要器件是电感器和…
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  • RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…

  • [参考译文] LM5122ZA：升压转换器–&gt；较高输出电压下重复的低侧 FET 故障

    Other Parts Discussed in Thread: LM5122ZA 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1532165/lm5122za-boost-converter-repeated-low-side-fet-failures…

  • [参考译文] AM6442：启用开关模式时 PTP 同步丢失

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1428202/am6442-ptp-sync-loss-when-switch-mode-is-enable 器件型号： AM6442 工具与软件： 各位专家、您好！ 在测试过程中、我们发现在 PRU 上启用开关模式 会导致 PTP…
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  • RE: [参考译文] AM6412：PTP：其他接口上的链路雕像更改会导致 PTP 同步丢失

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Daolin： 感谢您的更新、很高兴知道您能够重新创建该问题。 您是否不能简单地将 eth0 添加到同一组播组以确保组播工作（并最终使 PTP 正常工作）？ 我们已经尝试过此操作（适用于 PTP 和普通多播） 。 正常多播请参阅步骤 4： [引述 userid=“595428" url="“ url="~“~/support/processors-group/processors…
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  • RE: [参考译文] LM5123-Q1：请查看该升压转换器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈利、您好！ 非常感谢您的回复！ bo xia1 说： 我将完全移除 C9并仅将 C8保留在 FET 旁边(可能将 C9移至 J2附近)。 C9已移至 J2附近。 bo xia1 说： 您能否在顶层构建 AGND 岛(如数据表中所示)？ 然后所有 AGND 元件将更直接地连接、而不是通过所有这些过孔连接。 已建立一个 AGND 岛。 我将过孔保留在那里、以确保与其他 AGND…

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