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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • RE: [参考译文] LM5127-Q1：LM5127-Q1轻负载效率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas、 我安装了设计工具。 我们在"FET Losses Calculator"中计算的 FET 损耗适用于在固定开关频率下工作的直流/直流电路。 但我的问题是电动工具中的轻负载效率、 跳跃模式 。 我不确定此工具是否能帮助我获取这些数据、请帮助。
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  • [参考译文] TPS543C20A：外部 SYNC 信号丢失期间的行为

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS543C20A , TPS543B20 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299558/tps543c20a-behavior-during-external-sync…
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  • [参考译文] TPS543C20A：外部 SYNC 信号丢失期间的行为

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS543C20A , TPS543B20 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299558/tps543c20a-behavior-during-external-sync…
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  • [参考译文] TPS543C20A：外部 SYNC 信号丢失期间的行为

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS543C20A , TPS543B20 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299558/tps543c20a-behavior-during-external-sync…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] TPS552892：低负载电流时的可闻噪声问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John： 请参阅我对您的问题的评论。 1.根据计算、10kohm 的电阻可以在 Buck 或 Boost 模式下产生1.83MHz。 但在 Buck-Boost 模式下、降压侧和升压侧 FET 的开关频率会下降到一半。 我假设器件以 Buck-Boost 模式工作、则可以探测 SW1和 SW2波形。 2.我看到原理图上的 R10为10m Ω、输出电流限制将设置为5A…

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