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  • RE: [参考译文] TPS923655DMTREVM：TPS923655DMTR：电流消耗和放大器不稳定；升压模式下发热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Thomas： Unknown 说： 在我使用同一 IC 测试的另一块电路板上获得了相同的结果。 我想知道您的原始设置是否损坏了 IC。 因此、如果可能、请首先进行上述修改、然后将 IC 更换为新 ROM。 请尝试一下、看看它是否有帮助。 [报价 userid="641036" url="~/support/power-management-group/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM64460-Q1：5V 固定输出型号(CPP)、空载测试、导致 IC 过热和损坏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Unknown 说： 是的，您对快速入门计算器没有输出轻负载效率信息的说法是正确的。 关于开关频率、我从布局和原理图中看到 MODE/SYNC 引脚连接到 GND。 这会将 IC 设置为自动模式、从而允许器件在轻负载下降低其开关频率。 随着负载降至0A、开关频率将非常低。 轻负载时、该器件将像 COT (恒定导通时间)一样运行、只有在分压输出电压降至低于误差放大器的基准电压时、高侧…
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  • RE: [参考译文] LM5146：启动时发生过流-开关节点波形不良

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您能否分享您实际更新的原理图？ 您还可以将 Excel 计算器附加到 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 看起来两个 FET 都关断、SW 节点在 VOUT 周围振铃。 这是二极管仿真的正常情况。 您可以通过检查 HO 和 LO 来检查 FET 是否都导通(跨导)。 启动至满载还是空载？ 这会在空载时发生吗…
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  • [参考译文] UCC28950：FET 转换时存在额外的脉冲/噪声

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28950 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1511150/ucc28950-extra-pulses-noise-are-present-at-transition…

  • RE: [参考译文] LM5122：升压 SMPS 输出具有高噪声、甚至不接近 TI webench

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Daniel： 要共享 webench 设计,您可以将设计打印为 pdf 格式或进行屏幕截图。 HO MOSFET 周围的 RC 电路是缓冲器。 如果在开关节点上看到较大的过冲或振铃、此缓冲器用于抑制这些过冲。 它们通常不在 webench 中实现、因为过冲和振铃可能来自很多方面、其中还包括布局、因此不可能仅根据您在 webench 中输入的输入来计算合适的缓冲器值。…

  • RE: LM5175: boost模式启动时电感电流大

    您好 ‌原因‌： ‌Boost电路特性‌：Boost电路升压时，输出电压的升高主要依赖电抗器（电感）中的感应电压。由于输出电压相对于输入电压有所升高，根据公式UL = Ldi/dt，电感值越小，电流变化就越剧烈，从而导致电感电流在启动时较大。 ‌大电容充电冲击‌：在电路上电时，输出端的电解电容需要充电，这个充电过程不受开关管控制，因此电流会从小变大。如果电感量不是很大，电流很快就能变得很大。 ‌解决措施‌： ‌…
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  • RE: [参考译文] LM5116：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bindu、 查看 LM5145 75V 控制 器及其快速入门计算器 www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC。 这样、您就可以根据输入的参数查看 MOSFET 功率损耗。 请注意、LM5145 EVM 设置为5V/20A/225kHz、采用80V FET (高侧 FET 与上文所述相同)。 5.25V/10A 不应成为问题。 此致、 …
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  • RE: [参考译文] BQ25756：此芯片上的效率理解

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、数据表中的效率结果是基于我们对 EVM 的分析。 效率结果会受到输入和输出电压和电流以及所使用的无源器件(例如 FET、电感器、电容器等)的极大影响。 96%以上是基于我们的 EVM 而设计的、且具有所有实际组件。 如果您使用自己的不同组件、则会看到不同的结果。 请查看我们的设计计算器、它可用于进行精确计算、并提供所有需要的值、以便您为应用选择最适合的组件。 www.ti…
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  • [参考译文] BQ25756：采用 GaN FET 芯片(EPC23102ENGRT)和降压/升压控制器

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328310/bq25756-using-gan-fet-chip-epc23102engrt-with-the-buck…
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  • [参考译文] TPS552892-Q1：降压-升压转换器原理图评论

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1485828/tps552892-q1-buck-boost-converter-schematic-review 器件型号： TPS552892-Q1 工具与软件： 大家好、我是一名学生、正在完成我的第一个降压…

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