Other Parts Discussed in Thread: NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC , CSD19534Q5A , LM5156H 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980860/csd19534q5a…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fusheng：
感谢您的更新。 从原理图中可以看出、有两个并联的电源块、即 PQ17和 PQ18、这应该没问题、但我会推荐以下链接中的应用手册、以了解有关并联 FET 的指南。 每个 FET 应具有自己的栅极电阻器、用于电流共享并防止两个并联 FET 之间出现栅极振荡。 该设计采用单个高侧和单个低侧栅极电阻器。 最好为每个 FET 将它们分别拆分为单独的电阻器。 开关节点波形上存在电压尖峰…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit，
感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为：
ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
