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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

  • [参考译文] TIDM-02009：3.6KW 升压转换器

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1395869/tidm-02009-3-6kw-boost-converter 器件型号： TIDM-02009 工具与软件： 输入电压：12V PWM 占空比…
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  • RE: [参考译文] LM3488：如何在 Orcad 上正确导入和使用 LM3488 PSpice 模型并仿真定制原理图？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dominykas： 您能给我另外一些设计规格吗： 输入电压：4.2V 输出电压：？？ 最大负载：？？ 根据所选的反馈分压器、目标输出电压将低于输入电压、因此该器件绝不会变为活动状态。 我们还提供了 LM3488的快速入门计算器设计工具、它有助于计算补偿、反馈分频器等 https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391808/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling…
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  • RE: [参考译文] CSD88599Q5DC：降压转换器能否使用统一 MOSFET？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Brian、您好！ TI 在下面的链接中提供了一款基于 Excel 的 FET 选择工具。 这让用户可以输入他们的要求、并与多达3个不同的 TI FET 解决方案进行比较。 请尝试一下、如果您遇到任何问题、请告诉我。 https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 谢谢！ John
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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：并联 MOSFET 时 FET 的损耗计算

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392908/lm5146-q1-loss-calculation-of-fet-when-paralleling-mosfets 器件型号： LM5146-Q1 工具与软件： 各位专家、您好！ …
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  • RE: [参考译文] LM5123-Q1：旁路 MOE

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Ohad： 1. 请将 SYNC/DITHER/VH/CP 引脚直接连接到 VCC。 2. 高侧 FET 需要的栅极电压高于 FET 源极引脚上的电压(开关节点电压)。 当控制器升压且 FET 开关时、高侧栅极驱动器的电源来自 HB 引脚上的电容器。 在这种情况下、高侧栅极驱动器的电源电压约为5V (VCC 电压)。 但当 FET 不进行开关时、HB 引脚上的电容器不会充电…

  • [参考译文] TIDM-02009：TIDM-02009 3.6Kw Boost

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1395639/tidm-02009-tidm-02009-3-6kw-boost 器件型号： TIDM-02009 工具与软件： 1.当 PWM 占空比为50%时…

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