搜索提示
找到 1,616 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • [参考译文] CSD19534Q5A：MOS 管上部和下部损耗

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD19532Q5B , SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC , CSD19531Q5A , CSD19533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5143-Q1：LM5143的设计问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 张晓 这是具有高 RDSon 和 HIH Qrr 的100V FET。 如果 VIN-max 为48V，则可以使用60V FET。 这将降低功率损耗。 了解 TI 的 NexFET 60V FET 产品组合。 在分区中，您可以在以下位置使用 NexFET 计算器工具： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC ，例如，CSD18563Q5A…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146RGYR

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bob： 很抱歉耽误你的时间。 以下是一些评论： 您可能需要使用不同的高侧和低侧 FET (具体取决于输入电压、输出电压以及应在输入电压范围内进行优化的位置)。 将快速入门计算器与 NexFET 选择器工具配合使用： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC。 检查 WEBENCH 也没有坏处。 控制器的…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5642：支持40A

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我们通常建议使用 LM25143或2 x LM25148 、而不是 LM5642。 两种备选方案均为42V 最大输入电压。 该应用的最大输入电压、最大输出电压和 fsw 是多少(因为这会影响 FET 选择)？ 我假设40V FET 已足够。 查看我们的 FET 选择器工具 ：https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS…

  • RE: TIDM-02013: Issues of Relay Closing and Overcurrent Protection Triggering on the Circuit Board Caused by Driver Loss in the PFC Stage

    Thanks for providing the schematics! This clarifies a lot. I've been reviewing them, and I have some additional thoughts and questions. 1. vBus Voltage Instability & Dropping Voltage: Looking at the schematic, the output capacitor (C188, 10uF…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5122：极端设计 — Power Designer 不提供出色的解决方案

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Paul： 感谢您的澄清。 是的、就是这么简单。 如果有两个相位、电流将在两个相位之间平均分配。 但是、两个相位仍然有自己的电感器电流纹波、具体取决于电感和开关频率。 因此峰值电流可能无法完全减半。 LM5122 器件专为多相实施而设计、因此可平衡相位间的电流。 数据表中提供了有关如何连接 SYNC 引脚以及如何连接 FB、COMP 和 MODE 引脚的说明： 此外…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。 该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。 附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。 我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM74910-Q1：LM74910 上的并联 MOSFET 应用

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我分享了一些数据和工具、以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 此外、在使用并联 FET 时、建议使用栅极串联电阻器。 此致、 Shiven Dhir

  • RE: LM3409-Q1: 以TI的公板为基础修改LM3409-Q1的驱动参数

    I can't say there is anything I know of that is "widely" used. This is not a common use case in automotive LED lighting. If you have the LDP5531EVM then I would probably modify it to see if you can achieve the desired output power. When…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。