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  • RE: [参考译文] DRV3245Q-Q1：DRV3245Q-Q1与 DRV8353F 对比

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mitesh： 请查看以下指向应用手册的链接、该应用手册包含指向 TI 所有基于网络的技术信息和工具的链接。 在工具部分下、您将找到适用于 BLDC 电机驱动应用的 FET 选择工具。 该工具允许用户输入其要求、并根据功率损耗、每千片价格或封装比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 第二个链接是下载实际的 BLDC FET 选择工具。 对于24V 输入、您可能需要选择至少40V…
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  • [参考译文] 同步降压- FET 损耗-计算不起作用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075693/sync-buck-fet-loss-calc-doesn-t-work “线程”中讨论的其它部件： 电机驱动器 FET 损耗计算 ， 同步损耗 FET 损耗计算 我们使用的是 Office…
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  • [参考译文] LM5143：TI.com 同步降压 FET 损耗计算器结果可疑？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18563Q5A , LM5143 , CSD18533Q5A , LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357277/lm5143-ti-com-synch…

  • RE: TIDA-010042: TIDA-010042

    您好， 没有直接集成到TIDA-010042的方案。 电池升压到12V使用boost芯片即可。3.2V是充满电的电压吗？ 请评估 AC/DC 和 DC/DC 转换器（集成 FET） 产品选择 | 德州仪器 TI.com.cn 中的型号
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  • RE: [参考译文] LM5122：升压转换器在驱动直流电机时发生振荡

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sinan： 您计划的更改听起来合理。 您可以通过增加 SS 电容 (C8) 来增加软启动时间 也可以将开关频率降低到 100kHz。 请使用我们的快速入门计算工具来了解建议值如何变化、并相应地选择用于补偿、感应电阻和电感器的元件。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC 此致、 Niklas
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  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：LM5122快速入门计算器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Joseph： 感谢您使用 e2e 论坛。 LM5122-Q1有快速入门计算器。 可以在产品页面的"设计与开发"资料下找到。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC 此致、 Niklas
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  • RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…
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  • RE: [参考译文] LM25180：针对 24V 输入的反激式控制器建议申请

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Manjesh 如果是这种情况、我建议使用 LM5185、它是一款带有外部 FET 的 PSR 反激式控制器。 借助外部 FET、您无需提高 NPS、占空比和导通损耗的功率能力。 请使用设计计算器工具（下面的链接）设计您的原理图元件选型。 谢谢你 LM5185-Q1 DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com
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  • RE: [参考译文] TPS4811-Q1：预充电 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们并不针对控制器器件的外部 FET 提出具体建议、但您可以使用这些 EVM 作为参考设计、我们还提供一个 FET SOA 计算器、供您使用以确保所选的 FET 能够与您的设计参数良好配合使用。 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC https://www.ti.com/product/TPS4811…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：关于 Ciss 的上限

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Masamu： FET 完全导通后、请在无负载的情况下尝试启动并打开负载。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

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