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  • RE: [参考译文] 哪些 MOSFET 适用于1MHz、100W 功率级？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Johny： 再次感谢您关注 TI FET。 TI 有很多栅极驱动器可供选择、但我只负责我们的分立式和电源块 MOSFET。 我对应用的了解不够深入、因此对时钟频率(PWM / FET 的开关频率)没有建议。 我猜应该是 PWM 发生器正弦输入的10倍应该足够了。 我在之前的响应中推荐的 FET 可以在高达~1MHz 的频率下进行硬开关。 在较高的开关频率下、开关损耗成为主要损耗…
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  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：关于 Ciss 的上限

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Masamu： FET 完全导通后、请在无负载的情况下尝试启动并打开负载。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5122-Q1：开关频率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vinod： 感谢您使用 e2e 论坛。 我没有看到控制器侧的限制、这些限制不允许500kHz 的开关频率。 如果 webench 似乎没有提供所需的设计参数、我建议改用快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC 您还可以查看现有的参考设计、例如以下参考设计： https://www.ti.com…

  • RE: BQ25756: 充电异常

    您好，请参考下面schematic checklist确认电路。 4617.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian Chinese Simplified Hungarian Russian Chinese Tradit…
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  • RE: [参考译文] LM5146：关于我的 webench 设计中的 FET 的问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mark： 我不知道为什么 WEBENCH 不选择 FET。 LM5146是一款额定电压为100V 的器件、因此100V FET 应该会很好。 如果您可以填写 LM5146快速入门计算器、我可以检查您的设计并推荐一些 FET。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 此致、 TIM
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  • [参考译文] LM5146DESIGN-CALC：VIN =欠压时的 Vout (高侧 FET 上电)

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 , LM25148 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1407910/lm5146design-calc-vin-vout-at-brown-out-power…
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：控制模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 北IDA 是的、这不是问题。 由于 TPS1211-Q1可控制外部 FET、因此这里唯一需要关注的是确保开启/关闭不会违反外部 FET 的 SOA 或可靠性。 我们提供了 SOA 计算器、您可以在下面找到该计算器： https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 TIM

  • RE: [参考译文] LM5156-Q1：SEPIC 转换器 — MOSFET 过热

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Wagner、 我很高兴听到您找到了解决方案！ 我仍然认为很奇怪、由于存在 MOSFET 参数、两个 FET 都应该工作。 此外、IC 的驱动器足够强大、能够正确驱动两个 FET。 关于 FET 中的损耗、请使用功率级设计人员查看损耗在不同条件下 的分布方式 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER — 首先选择您使用的拓扑并插入电路规格，然后选择…

  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：电源管理论坛

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] CSD87351ZQ5D：如何从数据表中查找 MOSFET 的失效时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Sajna， 再次感谢您对 TI FET 的关注。 我正在包括以下应用手册和 TI FET 选择工具的链接。 该应用手册包括对同步降压转换器损耗的详细分析，包括通用源电感。 基于 Excel 的工具使用应用手册中的损耗方程式，允许用户根据功耗，封装和1k 价格比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 查看方程式选项卡，了解用于计算 FET 损耗的公式。 网络上还有许多其他资源可用于计算切换损耗…

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