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RE: LM5122: LM5122

Daniel

您好 https://www.ti.com.cn/tool/cn/download/LM5122-BOOST-CALC 请您参考这个官方的计算工具。
- 1 年多前
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RE: [参考译文] DRV8350：开关损耗计算&amp；栅极电阻

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好！我认为这可能有助于回答您的问题： https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC 如果您有任何其他问题、敬请告知此致、亚拉
- 2 年多前
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RE: [参考译文] LM5143-Q1：LM5143的设计问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。张晓这是具有高 RDSon 和 HIH Qrr 的100V FET。如果 VIN-max 为48V，则可以使用60V FET。这将降低功率损耗。了解 TI 的 NexFET 60V FET 产品组合。在分区中，您可以在以下位置使用 NexFET 计算器工具： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC ，例如，CSD18563Q5A…
- 4 年多前
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RE: [参考译文] LM74910-Q1：浪涌时间设计注意事项

admin

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Charles： FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以使用此工具。此致、 Shiven Dhir
- 3 个月前
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RE: [参考译文] LM5642：支持40A

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 David：我们通常建议使用 LM25143或2 x LM25148 、而不是 LM5642。两种备选方案均为42V 最大输入电压。该应用的最大输入电压、最大输出电压和 fsw 是多少(因为这会影响 FET 选择)？我假设40V FET 已足够。查看我们的 FET 选择器工具：https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS…
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LM5146：LM5146RGYR

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Bob：很抱歉耽误你的时间。以下是一些评论：您可能需要使用不同的高侧和低侧 FET (具体取决于输入电压、输出电压以及应在输入电压范围内进行优化的位置)。将快速入门计算器与 NexFET 选择器工具配合使用： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC。检查 WEBENCH 也没有坏处。控制器的…
- 2 年多前
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RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Bhuvaneshwari、我使用了下面链接中提供的基于 Excel 的负载开关工具来计算 FET 的导通损耗。该工具不允许并联 FET、但您只需将电流除以并联 FET 的数量即可估算损耗。附件是假设有10个并联 FET (60A/FET)的预填充电子表格。我不得不使用1.5V 输入电压、因为这是工具接受的最低值。 https://www.ti.com/tool…
- 2 年多前
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[参考译文] LM74930-Q1：设计工具电子表格问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1623813/lm74930-q1-design-tool-spreadsheet-questions 器件型号： LM74930-Q1 高支持首先、感谢您提供这些设计工具数据表 ( www.ti…
- 已回答
- 6 个月前
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RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
- 3 年多前
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RE: TIDM-02013: Issues of Relay Closing and Overcurrent Protection Triggering on the Circuit Board Caused by Driver Loss in the PFC Stage

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Thanks for providing the schematics! This clarifies a lot. I've been reviewing them, and I have some additional thoughts and questions. 1. vBus Voltage Instability & Dropping Voltage: Looking at the schematic, the output capacitor (C188, 10uF…
- 4 个月前
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