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• RE: [参考译文] LM5122：极端设计 — Power Designer 不提供出色的解决方案

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Paul： 感谢您的澄清。 是的、就是这么简单。 如果有两个相位、电流将在两个相位之间平均分配。 但是、两个相位仍然有自己的电感器电流纹波、具体取决于电感和开关频率。 因此峰值电流可能无法完全减半。 LM5122 器件专为多相实施而设计、因此可平衡相位间的电流。 数据表中提供了有关如何连接 SYNC 引脚以及如何连接 FB、COMP 和 MODE 引脚的说明： 此外…

  • 10 个月前
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• [参考译文] LM5180-Q1：FET 的 tr 和 tf

  

  admin

  Other Parts Discussed in Thread: LM5180DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1621284/lm5180-q1-tr-and-tf-of-fet 器件型号： LM5180-Q…

  • 6 个月前
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• RE: LM3409-Q1: 以TI的公板为基础修改LM3409-Q1的驱动参数

  

  Vivian Gao

  I can't say there is anything I know of that is "widely" used. This is not a common use case in automotive LED lighting. If you have the LDP5531EVM then I would probably modify it to see if you can achieve the desired output power. When…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM74910-Q1：启动期间的 FET SOA 注意事项

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kazuki： 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 请将这些描述给我们。 此致、 Shiven Dhir

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dharanesh S、您好！ 请尝试使用此工具、查看它是否有助于为此控制器挑选 FET： 1) 1) https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 2) 2) https://training.ti.com/nexfet-synchronous-buck-converter-fet-selection-tool-train…

  • 5 年多前
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• LMG2100R044: Request for Technical Support on High No-Load Loss in LMG2100R044 6.78 MHz Half-Bridge Inverter

  

  Lian Li

  TI 认为已经解决

  Part Number: LMG2100R044 Other Parts Discussed in Thread: LMG2100EVM-078 , Dear Support Team, I am currently developing a 6.78 MHz half-bridge inverter based on the LMG2100R044 GaN power stage. The circuit design closely follows the reference design of the…

  • 2 个月前
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• RE: [参考译文] CSD87381P：设计查询

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Ashish， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD87381P 将与 Vin = 5V 配合使用。 本设备使用30V FET (最小指定 BVDSS = 30V)，ABS 最大 VGS 额定值为+10V/-8V。 下面的链接提供了基于 Excel 的 TI 同步降压 FET 选择工具。 它允许用户输入他们的要求，并根据功耗，封装和1k 价格比较多达3个 TI FET…

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] LM74910-Q1：LM74910 上的并联 MOSFET 应用

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 我分享了一些数据和工具、以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 此外、在使用并联 FET 时、建议使用栅极串联电阻器。 此致、 Shiven Dhir

  • 7 个月前
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• RE: [参考译文] LM7480：原理图审阅+&quot；Smoke&quot；因为充电输入缓慢上升至超过电池电压。

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Damien、 这是 MOSFET 的 SOA 问题。 请在 HGTAE 处添加 R1 和 C DVDT 以控制浪涌电流。 填充设计计算器以查看 MOSFET 的 SOA。 https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC 此致、 Mani。

  • 4 个月前
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• RE: [参考译文] LM5122：如果升至 100V、SW 输入引脚裕度似乎太紧

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Brian、 感谢您使用 E2E。 您能分享一下原理图吗？ 您是否在设计中使用了我们推荐的快速入门计算器？ LM5122-BOOST-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Johannes

  • 11 个月前
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