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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：使用 CSD18511KCS 进行设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vijay、您好！ 我检查了您的计算、结果相差了一个数量级：30A x 30A x 3.2mΩ= 2.88W。 在下面的链接中有一个简单的在线负载开关 FET 选择工具、您可以根据功率损耗、封装和/或1千片价格对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。 I 插入了30A 负载电流、5V 栅极驱动和 CSD18511KCS 的75°C 结温条件下、其传导损耗为4.61W…
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  • RE: [参考译文] LM5122EVM-2PH：针对更高功率的 EVM 修改

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Abdul： 感谢您的反馈。 可以增加500kHz 的开关频率。 若要查看对电流纹波和效率的影响、您可以再次使用我在前一条消息中引用的功率级设计器工具。 另一个有用的资源是我们的快速入门计算器工具： https://www.ti.com/tool/download/LM5122-BOOST-CALC MOSFET 应适用于250kHz 和500kHz 开关频率。 限制因素仍是…
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  • [参考译文] LMG3100R044：对于同步升压转换器、LMG3100R044

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R044 , LMG3100EVM-089 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1505347/lmg3100r044-lmg3100r044-for-synchronous…

  • RE: [参考译文] LM3488：LM3488的设计问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Zhang： 感谢您使用 e2e 论坛。 您能否提供 电感器数据表？ 您能否为该 LM3488设计填写我们的快速入门计算器工具？ https://www.ti.com/tool/download/LM3478-88-BOOST-CALC 根据这些信息、我们可以探究温度大幅升高的可能根本原因。 谢谢、此致、 Niklas
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  • [参考译文] BQ25756：在降压模式下、如果 HS 升压 FET 由需要刷新的自举电路驱动、HS 升压 FET 会一直导通吗？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25756 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1452902/bq25756-in-buck-mode-how-is-the-hs-boost-fet-always…
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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1：PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗？ 当您处于 FPWM 模式时…
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  • RE: [参考译文] LM5069：电源保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil： 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
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  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
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  • RE: [参考译文] MOSFET 开关损耗方程式- TI 日志 slyt664说明

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，哈里， 感谢您对 TI FET 的关注。 这两种方程式都是 MOSFET 开关损耗的估计值。 第一个方程式使用电荷参数和栅电荷电流来估计 FET 的上升和下降时间，假设它们相等。 第二个方程式使用 FET 数据表中指定的上升和下降时间来估计开关损耗。 两者基本上都是正确的，但可能不是非常准确，因为它们不包括通用源电感的影响。 请参阅以下链接上的应用说明，了解更多有关评估…
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  • RE: [参考译文] CSD18511KCS：针对高电流的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Sv： 感谢您关注 TI FET。 B2B FET 的最大输入电压是多少？ 您提到了 CSD18511KCS、这是一款采用 TO220通孔封装的40V N 沟道 FET。 40V 的 MOSFET 击穿电压是否足以满足您的应用需求？ TO220是首选封装还是您更喜欢采用 D2PAK 或5x6mm SON 封装的 SMT MOSFET？ 如需详细了解 TI 如何测试和规格最大程度地为我们的…

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