搜索提示
找到 1,498 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • RE: [参考译文] DRV8300：双集成 NMOS 选择

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cherry、 感谢您关注 TI FET。 Aaron 正确地说、我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ Ω)和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ Ω)。 这些器件要求 VGS 最小值为6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5137F-Q1：LM5137F-Q1

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayees： 对于120A (30A/相)、它可能是四相、使用适用于汽车12V 电池输入的40V Q 级 FET。 每个输出是否为120A (3.3V 和6V)？ 请查看 LM25143-Q1并使用其快速入门计算器协助进行设计： https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC。 此致、 TIM
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM25149：LM25149-Q1 EVM 验证

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 请参阅以下计算器： https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC 、其中包含用于 BOM 的效率计算器。 一般来说、开关频率、FET 特性和电感器 DCR 是提高效率的主要元件。 一般来说、较低的开关频率将提供较高的效率、但这样做的代价是必须使用较大的电感器、这往往具有更大的 DCR。\ 如果您有任何其他问题、请发送填写好的计算器工具…
    • Answered

  • [参考译文] 功率级设计器：功率级设计器5.0 FET 选择排序错误

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1421902/powerstage-designer-power-stage-designer…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Kami， 对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。 这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。 此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5022：计算由 LM5022组成的隔离型反激式电源的 MOS 管功率

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Sheng、 感谢您通过 e2e 联系我们。 请使用功率级设计器、您可以从此处下载该设计器： www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 首先选择拓扑并输入您的输入和输出值等 打开 FET Loss 计算器、然后从列表中选择 FET (中心顶部字段)。 此致 哈利
    • Answered

  • [参考译文] LM51561H：关于 EN/UVLO/SYNC 引脚的问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5156EVM-BST 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1389589/lm51561h-question-about-en-uvlo-sync-pin 器件型号…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM7481：MOSFET 故障

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Marius： 都似乎出现了 MOSFET SOA 故障。 启动期间是否打开下游负载？ 请使用此工具来设计您的启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM5146：ILIM RC 电路和电流限制问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Benjamin： ILIM 电容仅用于防止 ILIM 引脚电压变为负值。 增加时间常数将影响高占空比(低 toff)下的检测、因为 ILIM 电压下降速度不会像 SW 电压那么快。 请注意、电流限制设定值取决于 Vgs = 7.5V 时的低侧 FET Rdson。 发送快速启动文件以供查看-这是最新版本： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN…
    • Answered

  • RE: [参考译文] PMP8740：仿真、硬件与放大器；系统设计工具论坛

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mumin： 当然,我可以为你需要的任何帮助:-) 关于 SYNC-FET 额定电压、例如、如果您的最小 Vin 为350V (和最大420V)、并且考虑在此电压下的最大占空比为80%、则需要3.5 NP/NS 匝数比。 这意味着次级侧(半绕组)在输入电压为350V 时的电压将为100V (因此80Vout /100V = 80%占空比)。 在420Vin 时、变压器次级绕组上的电压将为420V…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。